제품 상세 정보:
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유형: | 실리콘 힘 트랜지스터 | 특색: | 낮은 동등한에 저항 |
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수집가 이미터 전압: | 60V | 보관 온도: | -55~+150℃ |
수집가 전력 흩어지기: | 250mW | 최고봉 맥박 현재: | 2A입니다 |
하이 라이트: | 고주파 트랜지스터,힘 mosfet 트랜지스터 |
SOT-23는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 FMMT491 트랜지스터 (NPN)를
낮은 동등한에 저항
최대 등급 (Ta=25℃ 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 기초 전압 | 80 | V |
VCEO | 수집가 이미터 전압 | 60 | V |
VEBO | 이미터 기초 전압 | 5 | V |
IC | 수집가 현재 | 1 | A |
ICM | 최고봉 맥박 현재 | 2 | A |
PC | 수집가 전력 흩어지기 | 250 | MW |
RΘJA | 접속점에서 주위에 내열성 | 500 | ℃/W |
Tj | 접합 온도 | 150 | ℃ |
Tstg | 저장 온도 | -55~+150 | ℃ |
전기 특성 (Ta=25℃ 특별한 다른 규정이 없으면)
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=100μA, I.E =0 | 80 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO1 | IC=10mA, IB=0 | 60 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E =100ΜA, IC=0 | 5 | V | ||
수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB=60V, I.E =0 | 0.1 | μA | ||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=4V, IC=0 | 0.1 | μA | ||
DC 현재 이익 | hFE (1) | VCE=5V, IC=1mA | 100 | |||
hFE (2) 1 | VCE=5V, IC=500mA | 100 | 300 | |||
hFE (3) 1 | VCE=5V, IC=1A | 80 | ||||
hFE (4) 1 | VCE=5V, IC=2A | 30 | ||||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE 1 1 | IC=500mA, IB=50mA | 0.25 | V | ||
(앉히는) VCE 2 1 | IC=1A, IB=100mA | 0.5 | V | |||
기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE 1 | IC=1A, IB=100mA | 1.1 | V | ||
기초 이미터 전압 | 1 VBE | VCE=5V, IC=1A | 1 | V | ||
전환 빈도 | fT | VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz | 150 | MHz | ||
수집가 산출 용량 | 옥수수 속 | VCB=10V, f=1MHz | 10 | pF |
, 맥박 width=300μs 맥박이 뛴 조건 하에서 측정하는의 의무 cycle≤2%.
전형적인 Characterisitics
포장 개략 차원
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
분 | 최대 | 분 | 최대 | |
A | 0.900 | 1.150 | 0.035 | 0.045 |
A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
A2 | 0.900 | 1.050 | 0.035 | 0.041 |
b | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
c | 0.080 | 0.150 | 0.003 | 0.006 |
D | 2.800 | 3.000 | 0.110 | 0.118 |
E | 1.200 | 1.400 | 0.047 | 0.055 |
E1 | 2.250 | 2.550 | 0.089 | 0.100 |
e | 0.950 TYP | 0.037 TYP | ||
e1 | 1.800 | 2.000 | 0.071 | 0.079 |
L | 0.550 REF | 0.022 REF | ||
L1 | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
담당자: David