제품 소개실리콘 힘 트랜지스터

MMBTA56 NPN 달링턴 힘 트랜지스터, 빠른 엇바꾸기 트랜지스터 NPN

인증
중국 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 인증
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MMBTA56 NPN 달링턴 힘 트랜지스터, 빠른 엇바꾸기 트랜지스터 NPN

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큰 이미지 :  MMBTA56 NPN 달링턴 힘 트랜지스터, 빠른 엇바꾸기 트랜지스터 NPN

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국 심천
브랜드 이름: Hua Xuan Yang
인증: RoHS、SGS
모델 번호: MMBTA56
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1000-2000 PC
가격: Negotiated
포장 세부 사항: 상자에 넣는
배달 시간: 1 - 2 주
지불 조건: L/C T/T 서부 동맹
공급 능력: 일 당 18,000,000PCS/

MMBTA56 NPN 달링턴 힘 트랜지스터, 빠른 엇바꾸기 트랜지스터 NPN

설명
접합 온도: 150 ℃ 수집가 전력 흩어지기: 225mW
특색: 다목적 증폭기 신청 자료: 규소
수집가 현재: 600 mA 보관 온도: -55~+150℃
하이 라이트:

power switch transistor

,

power mosfet transistors

SOT-23는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 MMBTA56 트랜지스터 (NPN)를

 

특징
 

l 다목적 증폭기 신청

표를 하기: 2GM

 

 

 

최대 등급 (Ta=25℃ 다리 명시되지 않는 한)
 

상징 모수 가치 단위
VCBO 수집가 기초 전압 -80 V
VCEO 수집가 이미터 전압 -80 V
VEBO 이미터 기초 전압 -4 V
IC 수집가 현재 -500 mA
PC 수집가 전력 흩어지기 225 MW
RΘJA 접속점에서 주위에 내열성 555 ℃/W
Tj 접합 온도 150
Tstg 저장 온도 -55~+150

 
 
 
전기 특성 (Ta=25℃ 특별한 다른 규정이 없으면)
 

모수 상징 테스트 조건 Typ 최대 단위
수집가 기초 고장 전압 V (브롬) CBO IC=-100ΜA, IE=0 -80     V
수집가 이미터 고장 전압 V (브롬) CEO IC=-1mA, IB=0 -80     V
이미터 기초 고장 전압 V (브롬) EBO IE=-100ΜA, IC=0 -4     V
수집가 커트오프 현재 ICBO VCB=-80V, IE=0     -0.1 µA
수집가 커트오프 현재 ICEO VCE=-60V, IB=0     -1 µA
이미터 기초 고장 전압 IEBO VEB=-4V, IC=0     -0.1 µA
DC 현재 이익 hFE (1) VCE=-1V, IC=-10mA 100   400  
  hFE (2) VCE=-1V, IC=-100mA 100      
수집가 이미터 포화 전압 (앉히는) VCE IC=-100mA, IB=-10mA     -0.25 V
기초 이미터 전압 VBE VCE=-1V, IC=-100mA     -1.2 V
전환 빈도 fT VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz 50     MHz

 
 
 

 

 포장 개략 차원
 

상징 밀리미터에 있는 차원 인치에 있는 차원
  최대 최대
A 0.900 1.150 0.035 0.045
A1 0.000 0.100 0.000 0.004
A2 0.900 1.050 0.035 0.041
b 0.300 0.500 0.012 0.020
c 0.080 0.150 0.003 0.006
D 2.800 3.000 0.110 0.118
E 1.200 1.400 0.047 0.055
E1 2.250 2.550 0.089 0.100
e 0.950 TYP 0.037 TYP
e1 1.800 2.000 0.071 0.079
L 0.550 REF 0.022 REF
L1 0.300 0.500 0.012 0.020
θ

 

 

 

전형적인 특성

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연락처 세부 사항
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

담당자: David

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