제품 소개실리콘 힘 트랜지스터

A42 실리콘 NPN 힘 트랜지스터, 현재 NPN 힘 트랜지스터 높이

인증
중국 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 인증
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큰 이미지 :  A42 실리콘 NPN 힘 트랜지스터, 현재 NPN 힘 트랜지스터 높이

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국 심천
브랜드 이름: Hua Xuan Yang
인증: RoHS、SGS
모델 번호: A42
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1000-2000 PC
가격: Negotiated
포장 세부 사항: 상자에 넣는
배달 시간: 1 - 2 주
지불 조건: L/C T/T 서부 동맹
공급 능력: 일 당 18,000,000PCS/

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설명
수집가 기초 전압: 310V 이미터 기초 전압: 5V의
Tstg: -55~+150℃ 자료: 규소
수집가 현재: 600 mA
하이 라이트:

고주파 트랜지스터

,

힘 mosfet 트랜지스터

SOT-89-3L는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 A42 트랜지스터 (NPN)를

 

 

특징
 

낮은 수집가 이미터 포화 전압

높은 고장 전압

 

표를 하기: D965A

 

 

 

최대 등급 (Ta=25℃ 다리 명시되지 않는 한)
 

상징 모수 가치 단위
VCBO 수집가 기초 전압 310 V
VCEO 수집가 이미터 전압 305 V
VEBO 이미터 기초 전압 5 V
IC 지속 수집가 현재 - 200 mA
ICM 맥박이 뛰는 수집가 현재 - 500 mA
PC 수집가 전력 흩어지기 500 MW
RθJA 접속점에서 주위에 내열성 250 ℃/W
TJ 접합 온도 150
Tstg 저장 온도 -55~+150

 
 
 
전기 특성 (Ta=25℃ 특별한 다른 규정이 없으면)
 

모수 상징 테스트 조건 Typ 최대 단위
수집가 기초 고장 전압 V (브롬) CBO IC=100ΜA, I.E =0 310     V
수집가 이미터 고장 전압 V (브롬) CEO IC=1mA, IB=0 305     V
이미터 기초 고장 전압 V (브롬) EBO I.E =100ΜA, IC=0 5     V

 

수집가 커트오프 현재

ICBO VCB=200V, I.E =0     0.25 µA
 

 

ICEX

VCE=100V, VX=5V     5 µA
    VCE=300V, VX=5V     10 µA
이미터 커트오프 현재 IEBO VEB=5V, IC=0     0.1 µA

 

DC 현재 이익

hFE (1) VCE=10V, IC=1mA 60      
  hFE (2) VCE=10V, IC=10mA 100   300  
  hFE (3) VCE=10V, IC=30mA 75      
수집가 이미터 포화 전압 (앉히는) VCE IC=20mA, IB=2mA     0.2 V
기초 이미터 포화 전압 (앉히는) VBE IC=20mA, IB=2mA     0.9 V
전환 빈도 fT VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz 50     MHz

 

 

 
 

 전형적인 특성

 

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 포장 개략 차원
 

상징 밀리미터에 있는 차원 인치에 있는 차원
  최대 최대
A 1.400 1.600 0.055 0.063
b 0.320 0.520 0.013 0.020
b1 0.400 0.580 0.016 0.023
c 0.350 0.440 0.014 0.017
D 4.400 4.600 0.173 0.181
D1 1.550 참고. 0.061 참고.
E 2.300 2.600 0.091 0.102
E1 3.940 4.250 0.155 0.167
e 1.500 TYP. 0.060 TYP.
e1 3.000 TYP. 0.118 TYP.
L 0.900 1.200 0.035 0.047

 
 
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SOT-89-3L에 의하여 건의되는 패드 배치

 

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SOT-89-3L 테이프와 권선
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연락처 세부 사항
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

담당자: David

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