제품 상세 정보:
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수집가 기초 전압: | 310V | 이미터 기초 전압: | 5V의 |
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Tstg: | -55~+150℃ | 자료: | 규소 |
수집가 현재: | 600 mA | ||
하이 라이트: | 고주파 트랜지스터,힘 mosfet 트랜지스터 |
SOT-89-3L는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 A42 트랜지스터 (NPN)를
낮은 수집가 이미터 포화 전압
높은 고장 전압
최대 등급 (Ta=25℃ 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 기초 전압 | 310 | V |
VCEO | 수집가 이미터 전압 | 305 | V |
VEBO | 이미터 기초 전압 | 5 | V |
IC | 지속 수집가 현재 - | 200 | mA |
ICM | 맥박이 뛰는 수집가 현재 - | 500 | mA |
PC | 수집가 전력 흩어지기 | 500 | MW |
RθJA | 접속점에서 주위에 내열성 | 250 | ℃/W |
TJ | 접합 온도 | 150 | ℃ |
Tstg | 저장 온도 | -55~+150 | ℃ |
전기 특성 (Ta=25℃ 특별한 다른 규정이 없으면)
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=100ΜA, I.E =0 | 310 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC=1mA, IB=0 | 305 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E =100ΜA, IC=0 | 5 | V | ||
수집가 커트오프 현재 |
ICBO | VCB=200V, I.E =0 | 0.25 | µA | ||
ICEX |
VCE=100V, VX=5V | 5 | µA | |||
VCE=300V, VX=5V | 10 | µA | ||||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 0.1 | µA | ||
DC 현재 이익 |
hFE (1) | VCE=10V, IC=1mA | 60 | |||
hFE (2) | VCE=10V, IC=10mA | 100 | 300 | |||
hFE (3) | VCE=10V, IC=30mA | 75 | ||||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=20mA, IB=2mA | 0.2 | V | ||
기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC=20mA, IB=2mA | 0.9 | V | ||
전환 빈도 | fT | VCE=20V, IC=10mA, f=30MHz | 50 | MHz |
전형적인 특성
포장 개략 차원
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
분 | 최대 | 분 | 최대 | |
A | 1.400 | 1.600 | 0.055 | 0.063 |
b | 0.320 | 0.520 | 0.013 | 0.020 |
b1 | 0.400 | 0.580 | 0.016 | 0.023 |
c | 0.350 | 0.440 | 0.014 | 0.017 |
D | 4.400 | 4.600 | 0.173 | 0.181 |
D1 | 1.550 참고. | 0.061 참고. | ||
E | 2.300 | 2.600 | 0.091 | 0.102 |
E1 | 3.940 | 4.250 | 0.155 | 0.167 |
e | 1.500 TYP. | 0.060 TYP. | ||
e1 | 3.000 TYP. | 0.118 TYP. | ||
L | 0.900 | 1.200 | 0.035 | 0.047 |
SOT-89-3L에 의하여 건의되는 패드 배치
SOT-89-3L 테이프와 권선
담당자: David