제품 상세 정보:
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VCBO: | -160V | VCEO: | -150V |
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VEBO: | -5V | 용법: | 전자 부품 |
티제이: | 150Š | 케이스: | 테이프/쟁반/권선 |
하이 라이트: | 고주파 트랜지스터,전원 스위치 트랜지스터 |
TO-92는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 2N5401 트랜지스터 (PNP)를
고전압에 있는 Ÿ 엇바꾸기 그리고 확대
통화법과 같은 Ÿ 신청
낮게 Ÿ 현재
Ÿ 고전압
주문 정보
부품 번호 | 포장 | 패킹 방법 | 팩 양 |
2N5401 | TO-92 | 부피 | 1000pcs/Bag |
2N5401-TA | TO-92 | 테이프 | 2000pcs/Box |
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 기초 전압 | -160 | V |
VCEO | 수집가 이미터 전압 | -150 | V |
VEBO | 이미터 기초 전압 | -5 | V |
IC | 수집가 현재 | -0.6 | A |
PC | 수집가 전력 흩어지기 | 625 | MW |
R0 JA | 접속점에서 주위에 내열성 | 200 | Š/W |
Tj | 접합 온도 | 150 | Š |
Tstg | 저장 온도 | -55~+150 | Š |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC= -0.1MA, I.E =0 | -160 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC=-1mA, IB=0 | -150 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E =-0.01MA, IC=0 | -5 | V | ||
수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB=-120V, I.E =0 | -50 | nA | ||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=-3V, IC=0 | -50 | nA | ||
DC 현재 이익 |
hFE (1) | VCE=-5V, IC=-1mA | 80 | |||
hFE (2) | VCE=-5V, IC=-10mA | 100 | 300 | |||
hFE (3) | VCE=-5V, IC=-50mA | 50 | ||||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=-50mA, IB=-5mA | -0.5 | V | ||
기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC=-50mA, IB=-5mA | -1 | V | ||
전환 빈도 | fT | VCE=-5V, IC=-10mA, f =30MHz | 100 | 300 | MHz |
계급 | A | B | C |
범위 | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
전형적인 특성
포장 개략 차원
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
분 | 최대 | 분 | 최대 | |
A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
D1 | 3.430 | 0.135 | ||
E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
0 | 1.600 | 0.063 | ||
h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
TO-92 7DSH DQG 5HHO
담당자: David