제품 상세 정보:
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VCBO: | 40V | VCEO: | 30V |
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VEBO: | 6v | 제품 이름: | 실리콘 반도체 삼극관 유형 |
IC: | 3A의 | 힘 Mosfet 트랜지스터: | TO-92는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 |
하이 라이트: | 끝 pnp 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
TO-92는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 D882S 트랜지스터 (NPN)를
전력 흩어지기
표를 하기
D882=Device 부호
고체는 주조 합성 장치를, 아무도를, 정상적인 장치 dot=Green 경우에
hFE의 Z=Rank, XXX=Code
주문 정보
부품 번호 | 포장 | 패킹 방법 | 팩 양 |
D882S | TO-92 | 부피 | 1000pcs/Bag |
D882S-TA | TO-92 | 테이프 | 2000pcs/Box |
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 파라 미터 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 기초 전압 | 40 | V |
VCEO | 수집가 이미터 전압 | 30 | V |
VEBO | 이미터 기초 전압 | 6 | V |
IC | 지속 수집가 현재 - | 3 | A |
PD | 수집가 전력 흩어지기 | 625 | MW |
R0 JA | 열은 주위에 ance f 롬 접속점을 저항합니다 | 200 | Š/W |
Tj | 접합 온도 | 150 | Š |
Tstg | St orage 온도 | -55 ~+150 | Š |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC = 100µA, I.E =0 | 40 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E = 100µA, IC=0 | 6 | V | ||
수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB= 40V, I.E =0 | 1 | μA | ||
수집가 커트오프 현재 | ICEO | VCE= 30V, IB=0 | 10 | μA | ||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB= 6V, IC=0 | 1 | μA | ||
DC 현재 이익 | hFE | VCE=2V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC= 2A, IB= 0.2 A | 0.5 | V | ||
기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC= 2A, IB= 0.2 A | 1.5 | V | ||
전환 빈도 |
fT |
VCE= 5V, Ic=0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
MHz |
계급 | R | O | Y | GR |
범위 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
전형적인 특성
포장 개략 차원
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
분 | 최대 | 분 | 최대 | |
A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
D1 | 3.430 | 0.135 | ||
E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
0 | 1.600 | 0.063 | ||
h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
담당자: David