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제품 상세 정보:
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| VCBO: | 42V | VCEO: | 22v |
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| VEBO: | 6v | 제품 이름: | 반도체 삼극관 유형 |
| 수집가 전력 흩어지기: | 750mW | 티제이: | 150Š |
| 하이 라이트: | 끝 시리즈 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
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TO-92는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 D965 트랜지스터 (NPN)를
Ÿ 오디오 증폭기
사진기의 Ÿ 섬광 단위
Ÿ 엇바꾸기 회로
표를 하기
D965=Device 부호
고체는 주조 합성 장치를 dot=Green,
만약에 아무도를, 정상적인 장치
hFE의 Z=Rank, XXX=Code
주문 정보
| 부품 번호 | 포장 | 패킹 방법 | 팩 양 |
| D965 | TO-92 | 부피 | 1000pcs/Bag |
| D965-TA | TO-92 | 테이프 | 2000pcs/Box |
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
| 상징 | 파라 미터 | 가치 | 단위 |
| VCBO | 수집가 기초 전압 | 42 | V |
| VCEO | 수집가 이미터 전압 | 22 | V |
| VEBO | 이미터 기초 전압 | 6 | V |
| IC | 지속 수집가 현재 - | 5 | A |
| PD | 수집가 전력 흩어지기 | 750 | MW |
| R0 JA | 열은 주위에 ance f 롬 접속점을 저항합니다 | 166.7 | Š/W |
| Tj | 접합 온도 | 150 | Š |
| Tstg | St orage 온도 | -55 ~+150 | Š |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
| 모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | TYP | MAX | 단위 |
| 수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=0.1mA, I.E =0 | 42 | V | ||
| 수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC=1mA, IB=0 | 22 | V | ||
| 이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E = 10µA, IC=0 | 6 | V | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB=30V, I.E =0 | 0.1 | µA | ||
| 이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=6V, IC=0 | 0.1 | µA | ||
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DC 현재 이익 |
hFE (1) | VCE=2V, IC= 0.15 mA | 150 | |||
| hFE (2) | VCE= 2V, IC = 500 mA | 340 | 2000년 | |||
| hFE (3) | VCE=2V, IC = 2A | 150 | ||||
| 수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=3000mA, IB=100 mA | 0.35 | V | ||
| 전환 빈도 | fT | VCE=6V, IC=50mA, f=30MHz | 150 | MHz |
| 계급 | R | T | V |
| 범위 | 340-600 | 560-950 | 900-2000 |
전형적인 특성
포장 개략 차원
| 상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
| 분 | 최대 | 분 | 최대 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
담당자: David
