제품 상세 정보:
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수집가 전력 흩어지기: | 1.25W | VCEO: | -30V |
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VEBO: | -6V | 제품 이름: | 반도체 삼극관 유형 |
티제이: | PC | 유형: | 삼극관 트랜지스터 |
하이 라이트: | 끝 pnp 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
TO-126는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 B772 트랜지스터 (PNP)를
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B772=Device 부호
단단한 점 = 합성 장치를, 만약에 아무도를 주조하는, 녹색 정상적인 장치 XX=Code
주문 정보
부품 번호 | 포장 | 패킹 방법 | 팩 양 |
B772 | TO-126 | 부피 | 200pcs/Bag |
B772-TU | TO-126 | 관 | 60pcs/Tube |
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 기초 전압 | -40 | V |
VCEO | 수집가 이미터 전압 | -30 | V |
VEBO | 이미터 기초 전압 | -6 | V |
IC | 지속 수집가 현재 - | -3 | A |
PC | 수집가 전력 흩어지기 | 1.25 | W |
RӨJA | 접속점에서 주위에 내열성 | 100 | ℃/W |
Tj | 접합 온도 | 150 | ℃ |
Tstg | 저장 온도 | -55-150 | ℃ |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=-100μA, I.E =0 | -40 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC= -10MA, IB=0 | -30 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E = -100ΜA, IC=0 | -6 | V | ||
수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB= -40V, I.E =0 | -1 | μA | ||
수집가 커트오프 현재 | ICEO | VCE=-30V, IB=0 | -10 | μA | ||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=-6V, IC=0 | -1 | μA | ||
DC 현재 이익 | hFE | VCE= -2V, IC= -1A | 60 | 400 | ||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=-2A, IB= -0.2A | -0.5 | V | ||
기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC=-2A, IB= -0.2A | -1.5 | V | ||
전환 빈도 |
fT |
VCE= -5V, IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
MHz |
계급 | R | O | Y | GR |
범위 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
포장 개략 차원
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
분 | 최대 | 분 | 최대 | |
A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
D1 | 3.430 | 0.135 | ||
E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
0 | 1.600 | 0.063 | ||
h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
담당자: David