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제품 상세 정보:
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| 리카보네이트: | 1.25W | 접합 온도: | 150 ℃ |
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| 보관 온도: | -55-150℃ | 힘 Mosfet 트랜지스터: | TO-251-3L는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 |
| 자료: | 규소 | 유형: | 삼극관 트랜지스터 |
| 하이 라이트: | 끝 pnp 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
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TO-251-3L는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 D882 트랜지스터 (NPN)를
전력 흩어지기
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
| 상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
| VCBO | 수집가 기초 전압 | 40 | V |
| VCEO | 수집가 이미터 전압 | 30 | V |
| VEBO | 이미터 기초 전압 | 6 | V |
| IC | 지속 수집가 현재 - | 3 | A |
| PC | 수집가 전력 흩어지기 | 1.25 | W |
| TJ | 접합 온도 | 150 | ℃ |
| Tstg | 저장 온도 | -55-150 | ℃ |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
| 모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
| 수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC = 100μA, I.E =0 | 40 | V | ||
| 수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
| 이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB= 40 V, I.E =0 | 1 | µA | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | µA | ||
| 이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | µA | ||
| DC 현재 이익 | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
| 수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC= 2A, IB= 0.2 A | 0.5 | V | ||
| 기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC= 2A, IB= 0.2 A | 1.5 | V | ||
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전환 빈도 |
fT |
VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz |
90 |
MHz |
| 계급 | R | O | Y | GR |
| 범위 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
전형적인 특성
담당자: David
