제품 상세 정보:
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VCBO: | -40v | VCEO: | -30V |
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보관 온도: | -55-150℃ | 힘 Mosfet 트랜지스터: | TO-251-3L는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 |
자료: | 규소 | 유형: | 삼극관 트랜지스터 |
하이 라이트: | 끝 시리즈 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
TO-251-3L는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 B772M 트랜지스터 (PNP)를
특징
저속 엇바꾸기
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 기초 전압 | -40 | V |
VCEO | 수집가 이미터 전압 | -30 | V |
VEBO | 이미터 기초 전압 | -6 | V |
IC | 지속 수집가 현재 - | -3 | A |
PC | 수집가 전력 흩어지기 | 1.25 | W |
RӨJA | 내열성, 주위에 접속점 | 100 | ℃/W |
Tj | 접합 온도 | 150 | ℃ |
Tstg | 저장 온도 | -55-150 | ℃ |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=-100μA, I.E =0 | -40 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC= -10MA, IB=0 | -30 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E = -100ΜA, IC=0 | -6 | V | ||
수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB= -40V, I.E =0 | -1 | μA | ||
수집가 커트오프 현재 | ICEO | VCE=-30V, IB=0 | -10 | μA | ||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=-6V, IC=0 | -1 | μA | ||
DC 현재 이익 | hFE | VCE= -2V, IC= -1A | 60 | 400 | ||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=-2A, IB= -0.2A | -0.5 | V | ||
기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC=-2A, IB= -0.2A | -1.5 | V | ||
전환 빈도 |
fT |
VCE= -5V, IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
MHz |
계급 | R | O | Y | GR |
범위 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
전형적인 특성
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
사소. | 최대. | 사소. | 최대. | |
A | 2.200 | 2.380 | 0.087 | 0.094 |
A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
B | 0.800 | 1.400 | 0.031 | 0.055 |
b | 0.710 | 0.810 | 0.028 | 0.032 |
c | 0.460 | 0.560 | 0.018 | 0.022 |
c1 | 0.460 | 0.560 | 0.018 | 0.022 |
D | 6.500 | 6.700 | 0.256 | 0.264 |
D1 | 5.130 | 5.460 | 0.202 | 0.215 |
E | 6.000 | 6.200 | 0.236 | 0.244 |
e | 2.286 TYP. | 0.090 TYP. | ||
e1 | 4.327 | 4.727 | 0.170 | 0.186 |
M | 1.778REF. | 0.070REF. | ||
N | 0.762REF. | 0.018REF. | ||
L | 9.800 | 10.400 | 0.386 | 0.409 |
L1 | 2.9REF. | 0.114REF. | ||
L2 | 1.400 | 1.700 | 0.055 | 0.067 |
V | 4.830 참고. | 0.190 참고. | ||
ĭ | 1.100 | 1.300 | 0.043 | 0.0±1 |
담당자: David