제품 상세 정보:
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VCBO: | 700V | VCEO: | 400V |
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이미터 기초 전압: | 9v | 제품 이름: | 반도체 삼극관 유형 |
수집가 방산: | 1.25W | 유형: | 삼극관 트랜지스터 |
하이 라이트: | 끝 시리즈 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
TO-251-3L는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 3DD13003 트랜지스터 (NPN)를
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최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 기초 전압 | 700 | V |
VCEO | 수집가 이미터 전압 | 400 | V |
VEBO | 이미터 기초 전압 | 9 | V |
IC | 지속 수집가 현재 - | 1.5 | A |
PC | 수집가 방산 | 1.25 | W |
TJ, Tstg | 접속점과 저장 온도 | -55~+150 | ℃ |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | Ic= 1mA, IE=0 | 700 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | Ic= 10 mA, IB=0 | 400 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E = 1mA, IC=0 | 9 | V | ||
수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB= 700V, I.E =0 | 1 | mA | ||
수집가 커트오프 현재 | ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 0.5 | mA | ||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB= 9 V, IC=0 | 1 | mA | ||
DC 현재 이익 |
hFE (1) | VCE= 5 V, IC= 0.5 A | 8 | 40 | ||
hFE (2) | VCE= 5 V, IC= 1.5A | 5 | ||||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=1A, IB= 250 mA | 0.6 | V | ||
기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC=1A, IB= 250mA | 1.2 | V | ||
기초 이미터 전압 | VBE | IE= 2A | 3 | V | ||
전환 빈도 |
fT |
VCE=10V, Ic=100mA f =1MHz |
5 |
MHz |
||
낙하시간 | TF | IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0.5 | µs | ||
저장 시간 | ts | IC=250mA | 2 | 4 | µs |
hFE1의 분류
계급 | |||||||
범위 | 8-10 | 10-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
TS의 분류
계급 | A1 | A2 | B1 | B2 |
범위 | 2-2.5 (μs) | 2.5-3 (μs) | 3-3.5 (μs) | 3.5-4 (μs) |
전형적인 특성
TO-92 포장 개략 차원
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
사소. | 최대. | 사소. | 최대. | |
A | 2.200 | 2.400 | 0.087 | 0.094 |
A1 | 1.050 | 1.350 | 0.042 | 0.054 |
B | 1.350 | 1.650 | 0.053 | 0.065 |
b | 0.500 | 0.700 | 0.020 | 0.028 |
b1 | 0.700 | 0.900 | 0.028 | 0.035 |
c | 0.430 | 0.580 | 0.017 | 0.023 |
c1 | 0.430 | 0.580 | 0.017 | 0.023 |
D | 6.350 | 6.650 | 0.250 | 0.262 |
D1 | 5.200 | 5.400 | 0.205 | 0.213 |
E | 5.400 | 5.700 | 0.213 | 0.224 |
e | 2.300 TYP. | 0.091 TYP. | ||
e1 | 4.500 | 4.700 | 0.177 | 0.185 |
L | 7.500 | 7.900 | 0.295 | 0.311 |
담당자: David