제품 소개mosfet 힘 트랜지스터

20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET

인증
중국 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 인증
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고객 검토
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20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET

20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET
20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET

큰 이미지 :  20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국 심천
브랜드 이름: Hua Xuan Yang
인증: RoHS、SGS
모델 번호: 20G04S
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1000-2000 PC
가격: Negotiated
포장 세부 사항: 상자에 넣는
배달 시간: 1 - 2 주
지불 조건: L/C T/T 서부 동맹
공급 능력: 일 당 18,000,000PCS/

20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET

설명
제품 이름: mosfet 힘 트랜지스터 유형: Mosfet 트랜지스터
제품 ID: 20G04S VDS: 40V
특징: 지상 산 포장 VGS: ±20V
하이 라이트:

n channel mosfet transistor

,

high voltage transistor

20G04S 40V N+P 수로 증진 형태 MOSFET

 

묘사

20G04S 용도 진보된 트렌치

우수한 RDS(위에)와 낮은 문 책임을 제공하는 기술.

무료한 MOSFETs는 a를 형성하기 위하여 사용될지도 모릅니다

수준은 다른 사람의 주인을 위한 높은 옆 스위치를, 이동했습니다

신청

 

일반적인 특징

N 수로

VDS =40V, ID =20A

RDS(위에)< 35m=""> GS=10V

RDS(위에)< 42m=""> GS=4.5V

P 수로

VDS =-40V, ID = -18A

RDS(위에)<40m> GS=-10V

RDS(위에)< 70m=""> GS=-4.5V

고성능 및 현재 수교 기능

무연 제품은 취득됩니다

지상 산 포장

 

신청

● 힘 엇바꾸기 신청

● 열심히 전환되다 고주파 회로

● 무정전 전원 장치

 

 

포장 표하기와 주문 정보

 

20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET 0

절대 최대 등급 (TC=25℃ 다리 명시되지 않는 한)
 
20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET 1
N-CH 전기 특성 (TA=25℃ 다리 명시되지 않는 한)

 

20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET 2

 

 

P-CH 전기 특성 (TA=25℃ 다리 명시되지 않는 한)
 
20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET 3
 
주:
1. 반복적인 등급: 최대 접합 온도에 의해 제한되는 맥박 폭.
2. FR4 널에, t ≤ 10 SEC 거치되는 표면.
3. 맥박 시험: 맥박 폭 ≤ 300μs의 의무 주기 ≤ 2%.
4. 고의로 보장하는, 생산에 지배를 받지 않음
 
N 수로 전형적인 특성
 
20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET 420G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET 520G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET 620G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET 720G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET 820G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET 9
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P 수로 전형적인 특성
 
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연락처 세부 사항
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

담당자: David

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