제품 소개mosfet 힘 트랜지스터

HXY4616 논리 수준 트랜지스터, 고전압 트랜지스터 30V 무료한 MOSFET

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중국 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 인증
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큰 이미지 :  HXY4616 논리 수준 트랜지스터, 고전압 트랜지스터 30V 무료한 MOSFET

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국 심천
브랜드 이름: Hua Xuan Yang
인증: RoHS、SGS
모델 번호: HXY4616
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1000-2000 PC
가격: Negotiated
포장 세부 사항: 상자에 넣는
배달 시간: 1 - 2 주
지불 조건: L/C T/T 서부 동맹
공급 능력: 일 당 18,000,000PCS/

HXY4616 논리 수준 트랜지스터, 고전압 트랜지스터 30V 무료한 MOSFET

설명
제품 이름: mosfet 힘 트랜지스터 유형: Mosfet 트랜지스터
제품 ID: 20G04S VDS: 40V
특징: 지상 산 포장 VGS: ±20V
하이 라이트:

high current mosfet switch

,

high voltage transistor

HXY4616 30V 무료한 MOSFET

 

묘사

 

전진된 HXY4616 용도는 provideexcellent RDS (위에) 및 낮은 문 책임에 기술을 도랑을 팝니다. Thiscomplementary N와 P는 낮은 입력 전압 변환장치 신청에 대하 이상 MOSFET configurationis에 수로를 열습니다.

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N 수로 전기 특성 (T=25°C 다리 명시되지 않는 한)
 
 
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A. RθJA의 가치는 어떤 주어진 신청든지에 있는 가치에 의하여 2oz를 가진 사용자의 특정한 널 design.2 FR-4 널에 달려 있는 1in A =25°C.에 거치된 장치로 측정됩니다. T를 가진 고요한 공기 환경에서, 구리로 싸십시오

B. 전력 흩어지기 PD는 TJ(MAX)에 ≤ 10s 접속점에 주위 내열성을 사용하여 =150°C, 근거를 둡니다. C. 반복적인 등급, 접합 온도 TJ(MAX) =150°C. 등급에 의해 제한된 저주파와 의무 주기에 맥박 폭은 initialTJ=25°C.를 지키기 위하여 근거를 둡니다.

D. RθJA는 RθJL를 지도하고 주위에 지도할 것이다 접속점에서 열 임피던스의 합계 입니다.

E. 숫자 1에 6에 있는 정체되는 특성은을 사용하여 얻어집니다 <300>

F. 이 곡선은 2oz를 가진 1in2 FR-4 널에 거치된 장치로 측정되는 접속점에 주위 열 임피던스에 근거를 둡니다. , TJ(MAX)의 최대 접합 온도가 =150°C. SOA 곡선 단 하나 맥박 ratin g.를 제공한다고 추측하 구리로 싸.

 

N 수로: 전형적인 전기와 열 특성
 
 
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연락처 세부 사항
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

담당자: David

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