제품 소개MOS 전계효과 트랜지스터

60V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자

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중국 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 인증
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60V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자

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60V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자

큰 이미지 :  60V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국 심천
브랜드 이름: Hua Xuan Yang
인증: RoHS、SGS
모델 번호: HXY4264
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1000-2000 PC
가격: Negotiated
포장 세부 사항: 상자에 넣는
배달 시간: 1 - 2 주
지불 조건: L/C T/T 서부 동맹
공급 능력: 일 당 18,000,000PCS/

60V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자

설명
제품 이름: mosfet 힘 트랜지스터 접합 온도:: PC
자료: 규소 모델 번호: HXY4264
케이스: 테이프/쟁반/권선 유형: Mosfet 트랜지스터
하이 라이트:

logic mosfet switch

,

mosfet driver using transistor

60V N 수로 AlphaSGT HXY4264
 

 

제품 개요

 

 

VDS 60V
ID (VGS=10V에) 13.5A
RDS (위에) (VGS=10V에) < 9="">
RDS (위에) (VGS=4.5V에) < 13="">

 

 

일반 묘사

 

트렌치 힘 AlphaSGTTM 기술

낮은 RDS(위에)

낮은 문 책임

 

 

신청

 

고능률 전력 공급

이차 synchronus 정류기

 

 

60V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자 0

 

전기 특성 (T =25°C 다리 명시되지 않는 한)

60V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자 1

 

 

A. RθJA의 가치는 2oz를 가진 1in2 FR-4 널에 거치된 장치로 측정됩니다. TA =25°C.를 가진 고요한 공기 환경에서, 구리로 싸십시오

어떤 주어진 신청든지에 있는 가치는 사용자의 특정한 널 디자인에 달려 있습니다.

B. 전력 흩어지기 PD는 TJ(MAX)에 ≤ 10s 접속점에 주위 내열성을 사용하여 =150°C, 근거를 둡니다.

C. 반복적인 등급, 접합 온도 TJ(MAX) =150°C. 등급에 의해 제한된 저주파와 의무 주기에 유지하기 위하여 맥박 폭은 근거를 둡니다

initialT =25°C.

D. RθJA는 RθJL를 지도하고 주위에 지도할 것이다 접속점에서 열 임피던스의 합계 입니다.

E. 숫자 1에 6에 있는 정체되는 특성은을 사용하여 얻어집니다 <300>

F. 이 곡선은 1in2 FR-4 널에 거치된 장치로 측정되는 접속점에 주위 열 임피던스에 근거를 둡니다

2oz. , TJ(MAX)의 최대 접합 온도가 =150°C. SOA 곡선 단 하나 맥박 등급을 제공한다고 추측하 구리로 싸.

G. 최대 스파이크 의무 주기 5%, =125°C. 접합 온도 TJ (MAX)에 의하여 한정된.

 

전형적인 전기와 열 특성

 

60V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자 260V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자 360V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자 460V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자 560V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자 660V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자 7

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연락처 세부 사항
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

담당자: David

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