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제품 상세 정보:
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| 제품 이름: | n 수로 트랜지스터 | 특징: | 지상 산 포장 |
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| 모델 번호: | 18N20 TO-263 | 하수구 근원 전압: | 200의 볼트 |
| 지속적인 하수구 현재: | 18A | 애플 리케이션: | 논리 mosfet 스위치 |
| 하이 라이트: | n 수로 mosfet 트랜지스터,고전압 트랜지스터 |
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증진 형태 N 채널 트랜지스터/논리 Mosfet 스위치 표면 산 포장
N 채널 트랜지스터 묘사
18N20X 용도 진보된 편평한 기술
우수한 Rds (위에), 2.5V 처럼 낮은 문 전압을 가진 낮은 문 책임 및 가동을 제공하기 위하여. 이 장치는 건전지 보호로 또는 다른 엇바꾸기 신청에서 사용을 위해 적당합니다.
일반적인 특징
Vds = 200V ID = 18A
Rds (위에) < 120mQ="">
포장 표하기와 주문 정보
제품 ID | 팩 | 표를 하기 | Qty (PCS) |
18N20P | TO-220 | 18N20P XXX YYYY | 1000년 |
18N20F | TO-263 | 18N20F XXX YYYY | 1000년 |
절대 최대 등급 Tc=25°C 다리 명시되지 않는 한
200V N 수로 증진 형태 MOSFET
맥박 시험: 맥박 폭 < 300="">
TO-252 포장 개략
차원 (단위: mm)
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TO-220-3L 포장 정보
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
사소. | 최대. | 사소. | 최대. | |
A | 4.400 | 4.600 | 0.173 | 0.181 |
A1 | 2.250 | 2.550 | 0.089 | 0.100 |
b | 0.710 | 0.910 | 0.028 | 0.036 |
b1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
c | 0.330 | 0.650 | 0.013 | 0.026 |
CL | 1.200 | 1.400 | 0.047 | 0.055 |
D | 9.910 | 10.250 | 0.390 | 0.404 |
E | 8.9500 | 9.750 | 0.352 | 0.384 |
E1 | 12.650 | 12.950 | 0.498 | 0.510 |
e | 2.540 TYP. | 0.100 TYP. | ||
el | 4.980 | 5.180 | 0.196 | 0.204 |
F | 2.650 | 2.950 | 0.104 | 0.116 |
H | 7.900 | 8.100 | 0.311 | 0.319 |
h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
L | 12.900 | 13.400 | 0.508 | 0.528 |
L1 | 2.850 | 3.250 | 0.112 | 0.128 |
V | 7.500 참고. | 0.295 참고. | ||
① | 3.400 | 3.800 | 0.134 | 0.150 |
O-263-2L 포장 정보
상징 | Inc | HIES | MILLIM | ETERS | NOTIES |
분 | MAX | 소형 | MAX | ||
A | 0.170 | 0.180 | 4.32 | 4.57 |
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A1 | - | 0.010 | - | 0.25 |
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b | 0.028 | 0.037 | 0.71 | 0.94 |
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b2 | 0.045 | 0.055 | 1.15 | 1.40 |
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c | 0.018 | 0.024 | 0.46 | 0.61 |
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c2 | 0.04|8 | 0.055 | 1.22 | 1.40 |
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D | 0.350 | 0.370 | 8.89 | 9.40 |
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D1I | 0.315 | 0.324 | 8.01 | 8.23 |
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E | 0.395 | 0.405 | 10,04 | 10.28 |
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E1 | 0.310 | 0.318 | 7.88 | 8.08 |
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e | 0.100 | BSC. | 2.54 | BSC. |
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L | 0.580 | 0.620 | 14.73 | 15.75 |
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L1I | 0.090 | 0.110 | 2.29 | 2.79 |
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L2 | 0.045 | 0.055 | 1.15 | 1.39 |
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L3 | 0.050 | 0.070 | 1.27 | 1.77 |
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B | 0° | 8° | 크롬 | 8° |
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담당자: David
