수직 구조 MOS 전계효과 트랜지스터 DC/DC 변환기 힘 관리

수직 구조 MOS 전계효과 트랜지스터 DC/DC 변환기 힘 관리

힘 MOSFET 유형

힘 MOSFETs의 전반적인 경기장 안에, 다른 제조자에 의해 개발되고 제시된 다수 특정한 기술이 있습니다. 그들은 힘 MOSFETs를 현재를 나르고 전력 레벨을 능률적으로 취급하는 가능하게 하는 다수 다른 기술을 사용합니다. 이미 언급해 그들이 수시로 수직의 모양을 통합한 대로 구축하십시오

힘 MOSFET의 다른 유형에는 다른 속성이 있고 주어진 신청을 위해 그러므로 특히 적응될 수 있습니다.

• 평면 힘 MOSFET: 이것은 힘 MOSFET의 기본형입니다. 위에 저항이 epi 층 저항에 의해 지배되기 때문에 고전압 등급을 위해 좋습니다. 이 구조는 일반적으로 높은 세포 조밀도가 필요하 때 이용됩니다.
• VMOS: VMOS 힘 계속 MOSFETs는 유효합니다 수 년 동안. 기본 개념은 V 강저 현재의 수직 교류를 가능하게 하기 위하여 구조를 이용해, 그로 인하여 저항 수준과 더 나은 엇바꾸기 특성에 낮게 제공하. 힘 엇바꾸기를 위해 사용해, 그들은 또한 고주파 작은 RF 전력 증폭기를 위해 이용될지도 모릅니다.
• UMOS: 힘 MOSFET의 UMOS 버전은 그것과 유사한 작은 숲을 VMOS FET 이용합니다. 그러나 작은 숲에는 그것에 편평한 바닥이 있고 약간 다른 이점을 제공합니다.
• HEXFET: 힘 MOSFET의 이 모양은 6각형 현재 기능을 제공하기 위하여 구조를 이용합니다.
• TrenchMOS: 또 다시 TrenchMOS 힘 MOSFET는 기본적인 실리콘에 있는 유사한 기본적인 작은 숲 또는 잘 처리량 및 특성을 제공하기 위하여 트렌치를 이용합니다. 특히, 트렌치 힘 MOSFETs는 저항에 그들의 수로 조밀도 그리고 그러므로 그들의 더 낮은 때문에 200 볼트의 위 전압을 위해 주로 사용됩니다.

특징

-40V/-50A
R DS (위에) = 9.1mΩ (typ.) @V GS = -10V
R DS (위에) = 12mΩ (typ.) @V GS = -4.5V
시험되는 100%년 눈사태
믿을 수 있고는 어려운
자유로운 할로겐과 유효한 녹색 장치
(고분고분한 RoHS)

주문 및 표시 정보

D U V

G110P04L G110P04L G110P04L

포장 부호

D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S

날짜 부호

주: HUAYI 무연 제품은 조형 화합물을 포함하고/부착물 물자와 100% 매트 주석 plateTermi- 죽습니다
국가 끝; RoHS에 완전하게 호환되는 지 어느 것이. HUAYI 무연 제품은 무연을 요구합니다 만나거나 초과합니다
무연 최고봉 썰물 온도에 MSL 분류를 위한 IPC/JEDEC J-STD-020의 ments. HUAYI는 정의합니다 “녹색”를
무연 (고분고분한 RoHS)와 자유로운 할로겐을 의미하기 위하여 (브롬 또는 CL는 균질에 있는 무게에 의하여 900ppm를 초과하지 않습니다
브롬과 CL의 물자 그리고 총계 무게에 의하여 1500ppm를 초과하지 않습니다).
HUAYI는 이 pr에 변화, 개정, 증진, 수정 및 향상시키는 권리를 비축합니다
- 이 문서에 oduct 그리고/또는 언제든지 예고 없이.

절대 최대 등급