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제품 상세 정보:
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| 제품 이름: | 고전압 Mosfet 트랜지스터 | 모델 번호: | 1503C1 |
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| R DS (위에) = 7.1mΩ (typ.): | @V GS = 10V | R DS (위에) = 10.0 mΩ (typ.): | @V GS = 4.5V |
| 특색: | 어려운 | 유형: | 실물 |
| 하이 라이트: | n 수로 mosfet 트랜지스터,고전압 트랜지스터 |
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본래 고전압 Mosfet 트랜지스터, 트랜지스터를 사용하는 Mosfet 운전사
고전압 Mosfet 트랜지스터 일 및 특성
힘 MOSFET의 건축은 V 윤곽에 우리가 숫자를 다음과 같이 볼 수 있던 대로, 있습니다. 따라서 장치는 또한 V-MOSFET 또는 V-FET로 불립니다. 힘 MOSFET의 모양이 장치 표면에서 관통하기 위하여 삭감되는 V-는 N+, P 및 N – 층에 N+ 기질에 거의 입니다. N+ 층은 낮은 저항하는 물자를 가진 몹시 진한 액체로 처리한 층이고 N- 층은 고저항 지구를 가진 가볍게 진한 액체로 처리한 층입니다.
고전압 Mosfet 트랜지스터 특징 묘사
30V/34A
R DS (위에) = 7.1mΩ (typ.) @V GS = 10V
@V R DS (위에) = 10.0 mΩ (typ.) GS = 4.5V
시험되는 100%년 눈사태
믿을 수 있고는 어려운
자유로운 할로겐과 유효한 녹색 장치
(고분고분한 RoHS)
고전압 Mosfet 트랜지스터 신청
엇바꾸기 신청
DC/DC를 위한 힘 관리
건전지 보호
주문 및 표시 정보
C1
1503년
YYXXXJWW
포장 부호
C1: DFN3*3-8L
날짜 부호
YYXXX WW
주: HUAYI 무연 제품은 조형 화합물을 포함하고/부착물 물자와 100% 매트 양철 Termi- 죽습니다
국가 끝; RoHS에 완전하게 호환되는 지 어느 것이. HUAYI 무연 제품은 무연을 요구합니다 만나거나 초과합니다
무연 최고봉 썰물 온도에 MSL 분류를 위한 IPC/JEDEC J-STD-020의 ments. HUAYI는 정의합니다
무연 (고분고분한 RoHS)와 자유로운 할로겐을 의미하는 “녹색” (브롬 또는 CL는 무게에 의하여 900ppm를 안으로 초과하지 않습니다
브롬과 CL의 균질 물자 그리고 합계는 무게에 의하여 1500ppm를 초과하지 않습니다).
HUAYI는 이 pr에 변화, 개정, 증진, 수정 및 향상시키는 권리를 비축합니다
이 문서에 oduct 그리고/또는 언제든지 예고 없이.
절대 최대 등급
전형적인 운영 특성
담당자: David
