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제품 상세 정보:
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| 모델 번호: | AP2302AGN-HF | 로에스 상태 :: | 무연/고분고분한 RoHS |
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| 질:: | 100% 본래 새로운 | D/C :: | 가장 새로운 |
| 기술: | AP2302AGN-HF APEC | 타이핑하세요 :: | IC |
| 하이 라이트: | 1.38W 파워 트랜지스터 ICs,20A 파워 트랜지스터 ICs,AP2302AGN-HF APEC MOSFET 트랜지스터 |
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전문화된 뜨거운 ICs AP2302AGN-HF APEC AP2302AGN-HF
기술
AP2302A 시리즈는 낮게 가능한 계속되는 저항과 고속 스위칭 성능을 달성하기 위해 진보적 힘 혁신된 디자인과 실리콘 프로세스 기술에서 왔습니다. 그것은 다양한 전력 적용에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적 효율적인 장치를 제공합니다.
좋은 방열 효과와 특수한 설계 SOT-23 패키지는 적외선 리플로우 기술을 이용하고 전압 전환 또는 스위치 응용에 적합한 모든 상업적 산업적 표면 장착 적용품을 위해 넓게 발탁됩니다.
절대적인 최대 Ratings@Tj=25oC (그렇지 않았다면 상세화됩니다지 않는다면)
| 기호 | 매개 변수 | 평가 | 유닛 |
| VDS | 드레인-소스 전압 | 20 | Ｖ |
| VGS | 게이트-소스 전압 | +8 | Ｖ |
| ID@TA=25C | 배수 Current3, 4.5V에 있는 VGS | 4.6 | A |
| ID@TA=70C | 배수 Current3, 4.5V에 있는 VGS | 3.7 | A |
| IDM | 펄스용 배수 Current1 | 20 | A |
| PD@TA=25C | 전력 총손실 | 1.38 | Ｗ |
| TSTG | 보존온도범위 | -55 내지 150 | Ｃ |
| TJ | 작동 접합부 온도 범위 | -55 내지 150 | Ｃ |
온도 데이타
| 기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
| 스제이 A | 최대 열 저항, Junction-ambient3 | 90 | C/W |
AP2302AGN-H
일렉트릭널 Characteristics@Tj=25oC (그렇지 않았다면 상세화됩니다지 않는다면)
| 기호 | 매개 변수 | 엑스페리먼트 조건 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
| BVDSS | 드레인-소스 항복 전압 | VGS=0V, ID=250uA | 20 | - | - | Ｖ |
| RDS (계속) |
정적 드레인-소스 On-Resistance2 |
VGS=4.5V, ID=4A | - | - | 42 | mΩ |
| VGS=2.5V, ID=3A | - | - | 60 | mΩ | ||
| VGS(th) | 게이트 문턱 전압 | VDS=VGS, ID=250uA | 0.3 | - | 1.2 | Ｖ |
| 그프스 | 앞으로 상호컨덕턴스 | VDS=5V, ID=4A | - | 14 | - | Ｓ |
| IDS | 드레인-소스 누설 전류 | VDS=16V, VGS=0V | - | - | 10 | uA |
| IGS | 게이트-소스 누출 | VGS=+8V, VDS=0V | - | - | +100 | nA |
| 큐그 | 전체 게이트 Charge2 |
ID=4A VDS=10V VGS=4.5V |
- | 6.5 | 10.5 | nC |
| 큐그스 | 게이트-소스 요금 | - | 1 | - | nC | |
| 큐그드 | 게이트-드레인 (밀러) 요금 | - | 2.5 | - | nC | |
| td (계속) | 턴 온 지연 Time2 |
VDS=10V ID=1A RG=3.3Ω VGS=5V |
- | 9 | - | 나노 초 |
| tr | 상승 시간 | - | 12 | - | 나노 초 | |
| (떨어져서) td | 정지 지연 시간 | - | 16 | - | 나노 초 | |
| 트프 | 강하 시간 | - | 5 | - | 나노 초 | |
| CIS | 입력 커패시턴스 |
VGS=0V VDS=20V f=1.0MHz |
- | 300 | 480 | pF |
| 코스 | 출력 커패시턴스 | - | 85 | - | pF | |
| 크스 | 역 환 전기 용량 | - | 80 | - | pF | |
| Rg | 게이트 저항 | f=1.0MHz | - | 2 | - | Ω |
소스-드레인 다이오드
| 기호 | 매개 변수 | 엑스페리먼트 조건 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
| VSD | Voltage2에 앞으로 | IS=1.2A, VGS=0V | - | - | 1.2 | Ｖ |
| 트르 | 역-복구 Time2 |
IS=4A, VGS=0V, dI/dt=100A/us |
- | 20 | - | 나노 초 |
| 큐르르 | 역회복 전하 | - | 10 | - | nC |
기록 :
1.펄스폭은 맥스에 의해 제한했습니다. 접합 온도.
2.펄스 시험
3.서피스는 FR4 보드, Ｔ <> 10대의 1개 in2 구리 패드에 장착했습니다 ; 270C/W 분에 설치되골 때. 구리 패드.
지불 :
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담당자: David
