제품 소개mosfet 힘 트랜지스터

AP2322GN 논리 ICS 0.833W 10A MOSFET 전원 스위치

인증
중국 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 인증
중국 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 인증
고객 검토
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AP2322GN 논리 ICS 0.833W 10A MOSFET 전원 스위치

AP2322GN 논리 ICS 0.833W 10A MOSFET 전원 스위치
AP2322GN 논리 ICS 0.833W 10A MOSFET 전원 스위치

큰 이미지 :  AP2322GN 논리 ICS 0.833W 10A MOSFET 전원 스위치

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Hua Xuan Yang
인증: RoHS、SGS
모델 번호: AP2322GN
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 협상 할 수있는
가격: Negotiate
포장 세부 사항: 카톤 박스
배달 시간: 4~5 주
지불 조건: L/C (신용장) 전신환 웨스턴 유니온
공급 능력: 10,000/Month

AP2322GN 논리 ICS 0.833W 10A MOSFET 전원 스위치

설명
모델 번호:: AP2322GN 브랜드명 :: 원형
국가:: 새로운 원형 타이핑하세요 :: 논리 ICS
생산 소요 시간: 재고 D/C :: 가장 새로운
하이 라이트:

10A MOSFET 전원 스위치

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0.833W MOSFET 전원 스위치

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AP2322GN MOSFET 파워 트랜지스터

AP2322GN 원래 범용 파워 트랜지스터 / MOSFET / 파워 스위치 아이씨 칩

 

이 제품은 민감하고 정전기이 방출이 미안하지만, 케어를 처리한다는 것 입니다.

 

이 제품은 생명 유지 장치 또는 다른 유사한 시스템의 핵심 구성 요소로서 사용되도록 승인을 받지 않습니다.

 

APEC은 이 합의에서 묘사된 어떠한 제품 또는 회로의 앱 또는 사용에서 비롯되는 어떠한 책임에도 책임이 있지도 또한, 그것이 특허권 하에 어떠한 라이센스도 할당하거나 다른 사람의 권리를 할당할 것입니다.

 

APEC은 신뢰성, 기능 또는 디자인을 향상시키기 위해 공지 없이 이 협정에서 어떠한 제품으로도 바꿀 권리를 보유합니다.

 

기술

 

진보적 파워 모스펫은 낮게 가능한 온 저항, 극단적으로 효율적이고 비용효율성 장치를 달성하기 위해 고도 처리 기술을 이용했습니다.

SOT-23S 패키지는 넓게 상업적 산업적 표면 장착 적용품에 적합하고 DC / dc 컨버터와 같은 저전압 응용에 적합합니다.

 

절대적인 최대 Ratings@Tj=25oC (그렇지 않았다면 상세화됩니다지 않는다면)

 

기호 매개 변수 평가 유닛
VDS 드레인-소스 전압 20
VGS 게이트-소스 전압 +8
ID@TA=25C 배수 Current3, 4.5V에 있는 VGS 2.5 A
ID@TA=70C 배수 Current3, 4.5V에 있는 VGS 2.0 A
IDM 펄스용 배수 Current1 10 A
PD@TA=25C 전력 총손실 0.833
TSTG 보존온도범위 -55 내지 150
TJ 작동 접합부 온도 범위 -55 내지 150

 

온도 데이타

 

기호 매개 변수 가치 유닛
스제이 A 최대 열 저항, Junction-ambient3 150 C/W

 

AP2322G

 

일렉트릭널 Characteristics@Tj=25oC (그렇지 않았다면 상세화됩니다지 않는다면)

기호 매개 변수 엑스페리먼트 조건 민. Typ. 맥스. 유닛
BVDSS 드레인-소스 항복 전압 VGS=0V, ID=250uA 20 - -
RDS (계속) 정적 드레인-소스 On-Resistance2 VGS=4.5V, ID=1.6A - - 90 mΩ
VGS=2.5V, ID=1A - - 120 mΩ
VGS=1.8V, ID=0.3A - - 150 mΩ
VGS(th) 게이트 문턱 전압 VDS=VGS, ID=1mA 0.25 - 1
그프스 앞으로 상호컨덕턴스 VDS=5V, ID=2A - 2 -
IDS 드레인-소스 누설 전류 VDS=20V, VGS=0V - - 1 uA
IGS 게이트-소스 누출 VGS=+8V, VDS=0V - - +100 nA
큐그 전체 게이트전하

ID=2.2A

VDS=16V VGS=4.5V

- 7 11 nC
큐그스 게이트-소스 요금 - 0.7 - nC
큐그드 게이트-드레인 (밀러) 요금 - 2.5 - nC
td (계속) 턴 온 지연 시간

VDS=10V ID=1A RG=3.3Ω

VGS=5V

- 6 - 나노 초
tr 상승 시간 - 12 - 나노 초
(떨어져서) td 정지 지연 시간 - 16 - 나노 초
트프 강하 시간 - 4 - 나노 초
CIS 입력 커패시턴스

V.GS=0V VDS=20V

f=1.0MHz

- 350 560 pF
코스 출력 커패시턴스 - 55 - pF
크스 역 환 전기 용량 - 48 - pF
Rg 게이트 저항 f=1.0MHz - 3.2 4.8 Ω

 

소스-드레인 다이오드

 

기호 매개 변수 엑스페리먼트 조건 민. Typ. 맥스. 유닛
VSD Voltage2에 앞으로 IS=0.7A, VGS=0V - - 1.2
트르 역회복 시간

IS=2A, VGS=0V,

dI/dt=100A/us

- 20 - 나노 초
큐르르 역회복 전하 - 13 - nC

 

기록 :

 

1.펄스폭은 맥스에 의해 제한했습니다. 접합 온도.

2.펄스 시험

3.서피스는 FR4 보드, T <>10 초의 1개 in2 구리 패드에 장착했습니다 ; 민에 설치될 때 360 C/W. 구리 패드.

연락처 세부 사항
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

담당자: David

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