제품 상세 정보:
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모델 번호:: | AP2N1K2EN1 | 공급자 유형: | 원 제조사, 오디엠, 정부 기관, 소매업체 |
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브랜드명 :: | 본래 상표 | 패키지 형태: | SOT-723(N1) |
D/C: | 가장 새로운 | 묘사:: | 트랜지스터 |
하이 라이트: | 800mA MOSFET Transistor,0.15W MOSFET Transistor,AP2N1K2EN1 IC 칩 트랜지스터 |
MOSFET 트랜지스터 AP2N1K2EN1 원래 전자 구성품 / IC 칩
기술
AP2N1K2E 시리즈는 낮게 가능한 온 저항과 고속 스위칭 성능을 달성하기 위해 진보적 힘 혁신된 디자인과 실리콘 프로세스 기술에서 왔습니다. 그것은 다양한 전력 적용에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적 효율적인 장치를 제공합니다.
초소형 발자국과 SOT-723 패키지는 모든 상업적 산업적 표면 장착 적용품에 적합합니다.
기록 :
1.펄스폭은 맥스에 의해 제한했습니다. 접합 온도.
2.펄스 시험
3.서피스는 분에 장착했습니다. FR4 이사회의 구리 패드
이 제품은 민감하고 정전기이 방출이 미안하지만, 케어를 처리한다는 것 입니다.
이 제품은 생명 유지 장치 또는 다른 유사한 시스템의 핵심 구성 요소로서 사용되도록 승인을 받지 않습니다.
APEC은 이 합의에서 묘사된 어떠한 제품 또는 회로의 앱 또는 사용에서 비롯되는 어떠한 책임에도 책임이 있지도 또한, 그것이 특허권 하에 어떠한 라이센스도 할당하거나 다른 사람의 권리를 할당할 것입니다.
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기호 | 매개 변수 | 평가 | 유닛 |
VDS | 드레인-소스 전압 | 20 | V |
VGS | 게이트-소스 전압 | +8 | V |
ID@TA=25C | 배수 Current3, 2.5V에 있는 VGS | 200 | 마 |
IDM | 펄스용 배수 Current1 | 400 | 마 |
IS@TA=25C | 전원 전류 (바디 다이오드) | 125 | 마 |
ISM | 펄스원 Current1 (바디 다이오드) | 800 | 마 |
PD@TA=25C | 전력 총손실 | 0.15 | W |
TSTG | 보존온도범위 | -55 내지 150 | C |
TJ | 작동 접합부 온도 범위 | -55 내지 150 | C |
온도 데이타
기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
스제이 A | 최대 열 저항, Junction-ambient3 | 833 | C/W |
AP2N1K2EN
기호 | 매개 변수 | 엑스페리먼트 조건 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
BVDSS | 드레인-소스 항복 전압 | VGS=0V, ID=250uA | 20 | - | - | V |
RDS (계속) | 정적 드레인-소스 On-Resistance2 | VGS=2.5V, ID=200mA | - | - | 1.2 | Ω |
VGS=1.8V, ID=200mA | - | - | 1.4 | Ω | ||
VGS=1.5V, ID=40mA | - | - | 2.4 | Ω | ||
VGS=1.2V, ID=20mA | - | - | 4.8 | Ω | ||
VGS(th) | 게이트 문턱 전압 | VDS=VGS, ID=1mA | 0.3 | - | 1 | V |
그프스 | 앞으로 상호컨덕턴스 | VDS=10V, ID=200mA | - | 1.8 | - | S |
IDS | 드레인-소스 누설 전류 | VDS=16V, VGS=0V | - | - | 10 | uA |
IGS | 게이트-소스 누출 | VGS=+8V, VDS=0V | - | - | +30 | uA |
큐그 | 전체 게이트전하 |
ID=200mA VDS=10V VGS=2.5V |
- | 0.7 | - | nC |
큐그스 | 게이트-소스 요금 | - | 0.2 | - | nC | |
큐그드 | 게이트-드레인 (밀러) 요금 | - | 0.2 | - | nC | |
td (계속) | 턴 온 지연 시간 | VDS=10V | - | 2 | - | 나노 초 |
tr | 상승 시간 | ID=150mA | - | 10 | - | 나노 초 |
(떨어져서) td | 정지 지연 시간 | RG=10Ω | - | 30 | - | 나노 초 |
트프 | 강하 시간 | .VGS=5V | - | 16 | - | 나노 초 |
CIS | 입력 커패시턴스 |
VGS=0V VDS=10V f=1.0MHz |
- | 44 | - | pF |
코스 | 출력 커패시턴스 | - | 14 | - | pF | |
크스 | 역 환 전기 용량 | - | 10 | - | pF |
소스-드레인 다이오드
기호 | 매개 변수 | 엑스페리먼트 조건 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
VSD | Voltage2에 앞으로 | IS=0.13A, VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
담당자: David