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제품 상세 정보:
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| VCBO 수집가 기초 전압: | -80 V | 제품 이름: | 반도체 삼극관 |
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| 하이 라이트: | 고주파 트랜지스터,힘 mosfet 트랜지스터 |
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SOT-23는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 FMMT591 트랜지스터 (PNP)를
낮은 동등한에 저항
최대 등급 (Ta=25℃ 다리 명시되지 않는 한)
| 상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
| VCBO | 수집가 기초 전압 | -80 | V |
| VCEO | 수집가 이미터 전압 | -60 | V |
| VEBO | 이미터 기초 전압 | -5 | V |
| IC | 수집가 현재 | -1 | A |
| ICM | 최고봉 맥박 현재 | -2 | A |
| PC | 수집가 전력 흩어지기 | 250 | MW |
| RΘJA | 접속점에서 주위에 내열성 | 500 | ℃/W |
| Tj | 접합 온도 | 150 | ℃ |
| Tstg | 저장 온도 | -55~+150 | ℃ |
전기 특성 (Ta=25℃ 특별한 다른 규정이 없으면)
| 모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
| 수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=-100μA, I.E =0 | -80 | V | ||
| 수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO1 | IC=-10mA, IB=0 | -60 | V | ||
| 이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E =-100ΜA, IC=0 | -5 | V | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB=-60V, I.E =0 | -0.1 | μA | ||
| 이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=-4V, IC=0 | -0.1 | μA | ||
DC 현재 이익 | hFE (1) | VCE=-5V, IC=-1mA | 100 | |||
| hFE (2) 1 | VCE=-5V, IC=-500mA | 100 | 300 | |||
| hFE (3) 1 | VCE=-5V, IC=-1A | 80 | ||||
| hFE (4) 1 | VCE=-5V, IC=-2A | 15 | ||||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE 1 1 | IC=-500mA, IB=-50mA | -0.3 | V | ||
| (앉히는) VCE 2 1 | IC=-1A, IB=-100mA | -0.6 | V | |||
| 기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE 1 | IC=-1A, IB=-100mA | -1.2 | V | ||
| 기초 이미터 전압 | 1 VBE | VCE=-5V, IC=-1A | -1 | V | ||
| 전환 빈도 | fT | VCE=-10V, IC=-50mA, f=100MHz | 150 | MHz | ||
| 수집가 산출 용량 | 옥수수 속 | VCB=-10V, f=1MHz | 10 | pF |
, 맥박 width=300μs 맥박이 뛴 조건 하에서 측정하는의 의무 cycle≤2%.
전형적인 Characterisitics
포장 개략 차원
| 상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
| 분 | 최대 | 분 | 최대 | |
| A | 0.900 | 1.150 | 0.035 | 0.045 |
| A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
| A2 | 0.900 | 1.050 | 0.035 | 0.041 |
| b | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| c | 0.080 | 0.150 | 0.003 | 0.006 |
| D | 2.800 | 3.000 | 0.110 | 0.118 |
| E | 1.200 | 1.400 | 0.047 | 0.055 |
| E1 | 2.250 | 2.550 | 0.089 | 0.100 |
| e | 0.950 TYP | 0.037 TYP | ||
| e1 | 1.800 | 2.000 | 0.071 | 0.079 |
| L | 0.550 REF | 0.022 REF | ||
| L1 | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
담당자: David
