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제품 상세 정보:
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| 접합 온도: | 150 ℃ | 수집가 전력 흩어지기: | 225mW |
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| 특색: | 다목적 증폭기 신청 | 자료: | 규소 |
| 수집가 현재: | 600 mA | 보관 온도: | -55~+150℃ |
| 하이 라이트: | 전원 스위치 트랜지스터,힘 mosfet 트랜지스터 |
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SOT-23는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 MMBTA56 트랜지스터 (NPN)를
l 다목적 증폭기 신청
최대 등급 (Ta=25℃ 다리 명시되지 않는 한)
| 상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
| VCBO | 수집가 기초 전압 | -80 | V |
| VCEO | 수집가 이미터 전압 | -80 | V |
| VEBO | 이미터 기초 전압 | -4 | V |
| IC | 수집가 현재 | -500 | mA |
| PC | 수집가 전력 흩어지기 | 225 | MW |
| RΘJA | 접속점에서 주위에 내열성 | 555 | ℃/W |
| Tj | 접합 온도 | 150 | ℃ |
| Tstg | 저장 온도 | -55~+150 | ℃ |
전기 특성 (Ta=25℃ 특별한 다른 규정이 없으면)
| 모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
| 수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=-100ΜA, IE=0 | -80 | V | ||
| 수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC=-1mA, IB=0 | -80 | V | ||
| 이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | IE=-100ΜA, IC=0 | -4 | V | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB=-80V, IE=0 | -0.1 | µA | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICEO | VCE=-60V, IB=0 | -1 | µA | ||
| 이미터 기초 고장 전압 | IEBO | VEB=-4V, IC=0 | -0.1 | µA | ||
| DC 현재 이익 | hFE (1) | VCE=-1V, IC=-10mA | 100 | 400 | ||
| hFE (2) | VCE=-1V, IC=-100mA | 100 | ||||
| 수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=-100mA, IB=-10mA | -0.25 | V | ||
| 기초 이미터 전압 | VBE | VCE=-1V, IC=-100mA | -1.2 | V | ||
| 전환 빈도 | fT | VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz | 50 | MHz |
포장 개략 차원
| 상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
| 분 | 최대 | 분 | 최대 | |
| A | 0.900 | 1.150 | 0.035 | 0.045 |
| A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
| A2 | 0.900 | 1.050 | 0.035 | 0.041 |
| b | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| c | 0.080 | 0.150 | 0.003 | 0.006 |
| D | 2.800 | 3.000 | 0.110 | 0.118 |
| E | 1.200 | 1.400 | 0.047 | 0.055 |
| E1 | 2.250 | 2.550 | 0.089 | 0.100 |
| e | 0.950 TYP | 0.037 TYP | ||
| e1 | 1.800 | 2.000 | 0.071 | 0.079 |
| L | 0.550 REF | 0.022 REF | ||
| L1 | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
전형적인 특성
담당자: David
