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제품 상세 정보:
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| 수집가 기초 전압: | 400V | 접합 온도: | 150 ℃ |
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| Tstg: | -55~+150℃ | 자료: | 규소 |
| 수집가 현재: | 600 mA | 수집가 전력 흩어지기: | 500mW |
| 하이 라이트: | 전원 스위치 트랜지스터,힘 mosfet 트랜지스터 |
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SOT-89-3L는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 A44 트랜지스터 (NPN)를
낮은 수집가 이미터 포화 전압
높은 고장 전압
최대 등급 (Ta=25℃ 다리 명시되지 않는 한)
| 상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
| VCBO | 수집가 기초 전압 | 400 | V |
| VCEO | 수집가 이미터 전압 | 400 | V |
| VEBO | 이미터 기초 전압 | 6 | V |
| IC | 지속 수집가 현재 - | 200 | mA |
| ICM | 맥박이 뛰는 수집가 현재 - | 300 | mA |
| PC | 수집가 전력 흩어지기 | 500 | MW |
| RθJA | 접속점에서 주위에 내열성 | 250 | ℃/W |
| Tj | 접합 온도 | 150 | ℃ |
| Tstg | 저장 온도 | -55~+150 | ℃ |
전기 특성 (Ta=25℃ 특별한 다른 규정이 없으면)
| 모수 | 상징 | T est 상태 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
| 수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=100ΜA, I.E =0 | 400 | V | ||
| 수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO* | IC=1mA, IB=0 | 400 | V | ||
| 이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E =10ΜA, IC=0 | 6 | V | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB=400V, I.E =0 | 0.1 | µA | ||
| 이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=4V, IC=0 | 0.1 | µA | ||
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DC 현재 이익 |
hFE (1)* | VCE=10V, IC=1mA | 40 | |||
| hFE (2)* | VCE=10V, IC=10mA | 50 | 200 | |||
| hFE (3)* | VCE=10V, IC=50mA | 45 | ||||
| hFE (4)* | VCE=10V, IC=100mA | 40 | ||||
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수집가 이미터 포화 전압 |
(앉히는) VCE * |
IC=1mA, IB=0.1mA | 0.4 | V | ||
| IC=10mA, IB=1mA | 0.5 | V | ||||
| IC=50mA, IB=5mA | 0.75 | V | ||||
| 기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE * | IC=10mA, IB=1mA | 0.75 | V | ||
| 수집가 산출 용량 | 옥수수 속 | VCB=20V, I.E =0, f=1MHz | 7 | pF | ||
| 이미터 입력 용량 | Cib | VBE=0.5V, IC=0, f=1MHz | 130 | pF |
전형적인 특성
포장 개략 차원
| 상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
| 분 | 최대 | 분 | 최대 | |
| A | 1.400 | 1.600 | 0.055 | 0.063 |
| b | 0.320 | 0.520 | 0.013 | 0.020 |
| b1 | 0.400 | 0.580 | 0.016 | 0.023 |
| c | 0.350 | 0.440 | 0.014 | 0.017 |
| D | 4.400 | 4.600 | 0.173 | 0.181 |
| D1 | 1.550 참고. | 0.061 참고. | ||
| E | 2.300 | 2.600 | 0.091 | 0.102 |
| E1 | 3.940 | 4.250 | 0.155 | 0.167 |
| e | 1.500 TYP. | 0.060 TYP. | ||
| e1 | 3.000 TYP. | 0.118 TYP. | ||
| L | 0.900 | 1.200 | 0.035 | 0.047 |
SOT-89-3L에 의하여 건의되는 패드 배치
SOT-89-3L 테이프와 권선
담당자: David
