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제품 상세 정보:
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| 수집가 기초 VoltageCollector 기초 전압: | 40V | 수집가 이미터 전압: | 30V |
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| 이미터 기초 전압: | -6V | 제품 이름: | 반도체 삼극관 유형 |
| 티제이: | PC | 유형: | 삼극관 트랜지스터 |
| 하이 라이트: | 끝 pnp 트랜지스터,끝 시리즈 트랜지스터 |
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TO-126에 의하여 플라스틱 캡슐에 넣어지는 트랜지스터 B772 트랜지스터 (PNP)
저속 엇바꾸기
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
| 상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
| VCBO | 수집가 기초 전압 | -40 | V |
| VCEO | 수집가 이미터 전압 | -30 | V |
| VEBO | 이미터 기초 전압 | -6 | V |
| IC | 지속 수집가 현재 - | -3 | A |
| PC | 수집가 전력 흩어지기 | 1.25 | W |
| RӨJA | 내열성, 주위에 접속점 | 100 | ℃/W |
| Tj | 접합 온도 | 150 | ℃ |
| Tstg | 저장 온도 | -55-150 | ℃ |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
| 모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
| 수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=-100μA, I.E =0 | -40 | V | ||
| 수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC= -10MA, IB=0 | -30 | V | ||
| 이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E = -100ΜA, IC=0 | -6 | V | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB= -40V, I.E =0 | -1 | μA | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICEO | VCE=-30V, IB=0 | -10 | μA | ||
| 이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=-6V, IC=0 | -1 | μA | ||
| DC 현재 이익 | hFE | VCE= -2V, IC= -1A | 60 | 400 | ||
| 수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=-2A, IB= -0.2A | -0.5 | V | ||
| 기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC=-2A, IB= -0.2A | -1.5 | V | ||
전환 빈도 | fT | VCE= -5V, IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
MHz |
| 계급 | R | O | Y | GR |
| 범위 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
포장 개략 차원
| 상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
| 분 | 최대 | 분 | 최대 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
담당자: David
