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Rs1m 표면 산을 통해서 빠른 회복 듀얼-채널 Mosfet Rs1a

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인증
중국 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 인증
중국 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 인증
고객 검토
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Rs1m 표면 산을 통해서 빠른 회복 듀얼-채널 Mosfet Rs1a

Rs1m 표면 산을 통해서 빠른 회복 듀얼-채널 Mosfet Rs1a
Rs1m 표면 산을 통해서 빠른 회복 듀얼-채널 Mosfet Rs1a

큰 이미지 :  Rs1m 표면 산을 통해서 빠른 회복 듀얼-채널 Mosfet Rs1a

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국 심천
브랜드 이름: Hua Xuan Yang
인증: RoHS、SGS
모델 번호: RS1A
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1000-2000 PC
가격: Negotiated
포장 세부 사항: 상자에 넣는
배달 시간: 1 - 2 주
지불 조건: L/C T/T 서부 동맹
공급 능력: 일 당 18,000,000PCS/
접촉

Rs1m 표면 산을 통해서 빠른 회복 듀얼-채널 Mosfet Rs1a

설명
유형: 빠른 회복 정류기 다이오드 특색: 표면을 위해 거치된 신청
극성: 색깔 밴드는 음극선 끝을 표시합니다 무게: 0.002 온스, 0.07 그램
제품 ID: FS1A를 통해 FS1M 케이스: JEDEC DO-214AC는 passivated 칩에 플라스틱 몸을 주조했습니다
하이 라이트:

증진 형태 mosfet

,

이중 문 mosfet

RS1M 표면 산 정류기를 통해서 RS1A는 회복 단식합니다


 

특징
 
자동화된 배치에 대하 이상 붙박이 스트레인 릴리프
높은 앞으로 큰 파도 현재 기능
보장되는 고열 납땜:
맨끝에 250 C/10 초
유리 passivated 칩 접속점
플라스틱 포장은 보험업자 실험실을 나릅니다
가연성 분류 94V-0
표면을 위해 거치된 신청
낮은 반전 누설
 
 
Rs1m 표면 산을 통해서 빠른 회복 듀얼-채널 Mosfet Rs1a 0
 
케이스: JEDEC DO-214AC는 passivated 칩에 플라스틱 몸을 주조했습니다
맨끝: , MIL-STD-750 당 solderable 도금되는, 땜납
방법 2026년
극성: 색깔 밴드는 음극선 끝을 표시합니다
설치 위치: 무엇이든
무게: 0.002 온스, 0.07 그램
 
Rs1m 표면 산을 통해서 빠른 회복 듀얼-채널 Mosfet Rs1a 1
RS1M 표면 산 정류기를 통해서 RS1A는 회복 단식합니다
 
기계적인 자료
 
케이스: JEDEC DO-201AD에 의하여 주조되는 플라스틱 몸
맨끝: MIL-STD-750 당 solderable 도금된 축 지도,
방법 2026년
극성: 색깔 밴드는 음극선 끝을 표시합니다
설치 위치: 무엇이든
무게: 0.002 온스, 0.07 그램
 
 
최대 등급 및 전기 특성

 

25의 C 주위 온도에 등급 특별한 다른 규정이 없으면. 단일 위상 전기 용량 짐 현재를 위한 반파 60Hz, 저항하는 또는 유도 짐은, 20%에 의하여 감세합니다.
Rs1m 표면 산을 통해서 빠른 회복 듀얼-채널 Mosfet Rs1a 2
 
 
 
주:
1. 반전 회복 상태 IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
2. 4.0V D.C.의 1MHz 그리고 적용된 반전 전압에 측정해
3. 접속점에서 0.375"에 주위에 내열성 (9.5mm) 지도 길이, P.C.B mounte
 
 
등급 그리고 특성 곡선 1N4942를 통해 1N4948
 
 
Rs1m 표면 산을 통해서 빠른 회복 듀얼-채널 Mosfet Rs1a 3

태그:

증진 형태 mosfet,

고속 mosfet,

이중 문 mosfet

연락처 세부 사항
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

담당자: David

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)

약

mosfet 힘 트랜지스터

HXY4616 논리 수준 트랜지스터, 고전압 트랜지스터 30V 무료한 MOSFET

HXY4616 Mosfet 힘 트랜지스터 ±20v VGS 고전압 VDS 40V VGS ±20v

20G04S 40V Mosfet 힘 트랜지스터 N+P 채널 증진 형태 MOSFET

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