P는 N 유형 트랜지스터, 19P03 D-U-V 고전압 힘 Mosfet에 수로를 열습니다

P는 N 유형 트랜지스터, 19P03 D-U-V 고전압 힘 Mosfet에 수로를 열습니다

N는 트랜지스터 소개를 타자를 칩니다

힘 MOSFET는 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터의 특별한 유형입니다. 그것은 특별히 고도 힘을 취급하기 위하여 디자인됩니다. 힘 MOSFET'S는 V 윤곽에서 건설합니다. 그러므로, 그것은 또한 V-MOSFET, VFET로 불립니다. N- 수로 & P- 수로 힘 MOSFET의 상징은 아래 숫자에서 보입니다.

N는 트랜지스터 특징을 타자를 칩니다

-30V/-90A
R DS (위에) = 4.8mΩ (typ.) @V GS = 10V
R DS (위에) = 6.5mΩ (typ.) @V GS = 4.5V
시험되는 100%년 눈사태
믿을 수 있고는 어려운
무연과 녹색 장치
유효한 (고분고분한 RoHS)

N는 트랜지스터 신청을 타자를 칩니다

엇바꾸기 신청

변환장치 체계를 위한 힘 관리.

주문 및 표시 정보

D U V
19P03 19P03 19P03
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G
포장 부호
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
날짜 부호 회의 물자
YYXXX WW G: 할로겐은 해방합니다

주: HUAYI 무연 제품은 조형 화합물을 포함하고/부착물 물자와 100% 매트 양철 죽습니다
종료 끝; RoHS에 완전하게 호환되는 지 어느 것이. HUAYI 무연 제품은 지도를 만나거나 초과합니다
무연 최고봉 썰물 온도에 MSL 분류를 위한 IPC/JEDEC J-STD-020의 자유로운 필요조건.
HUAYI는 “무연 (고분고분한 RoHS)와 자유로운 할로겐을 의미하기 위하여 녹색”를 정의합니다 (브롬 또는 CL는 초과하지 않습니다
균질 물자에 있는 무게 및 브롬과 CL의 합계에 의하여 900ppm는 무게에 의하여 1500ppm를 초과하지 않습니다).
HUAYI는 변화, 개정, 증진, 수정 및 improveme nts를에 만드는 권리를 비축합니다
이 문서에 이 제품 그리고/또는 언제든지 예고 없이.

절대 최대 등급

주: * 반복적인 등급; 최대 접합 온도에 의해 제한되는 맥박 폭.
** FR-4 널에 거치되는 표면.
, T J =25°C 최대 제한되는, T J에 의해 *** L = 0.3mH, R G = 25Ω, V GS =10V 시작.

전기 특성 (Tc =25°C 다리 명시되지 않는 한)

전기 특성 (cont.) (Tc =25°C 다리 명시되지 않는 한)

주: *Pulse 시험; 맥박 폭 ≤ 300us의 의무 주기 ≤ 2%