제품 소개mosfet 힘 트랜지스터

BOM 인용 1.38W Mosfet 파워 트랜지스터 APEC AP2344GN-H

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중국 Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd 인증
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고객 검토
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BOM 인용 1.38W Mosfet 파워 트랜지스터 APEC AP2344GN-H

BOM 인용 1.38W Mosfet 파워 트랜지스터 APEC AP2344GN-H
BOM 인용 1.38W Mosfet 파워 트랜지스터 APEC AP2344GN-H

큰 이미지 :  BOM 인용 1.38W Mosfet 파워 트랜지스터 APEC AP2344GN-H

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Hua Xuan Yang
인증: RoHS、SGS
모델 번호: AP2344GN-H
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 협상 할 수있는
가격: Negotiated
포장 세부 사항: 상자에 넣는
배달 시간: 1 - 2 주
지불 조건: 서부 동맹, L/C, T/T
공급 능력: 10,000PCS/Month

BOM 인용 1.38W Mosfet 파워 트랜지스터 APEC AP2344GN-H

설명
애플리케이션 :: 전원 스위치 회로 모델 번호:: APEC
공급자 타입 :: 원 제조사, 정부 기관, 소매업체 VDS :: 30v
작동 온도 :: -55 내지 150 VGS :: -20V ~ 20V
하이 라이트:

BOM 인용 Mosfet 파워 트랜지스터

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BOM 인용 Mosfet 파워 트랜지스터

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AP2344GN-H MOSFET 트랜지스터

도매 전자 부품 지원 BOM 인용 AP2344GN-H

 

기술

 

AP2344 시리즈는 낮게 가능한 온 저항과 고속 스위칭 성능을 달성하기 위해 진보적 힘 혁신된 디자인과 실리콘 프로세스 기술에서 왔습니다. 그것은 다양한 전력 적용에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적 효율적인 장치를 제공합니다.

좋은 방열 효과와 특수한 설계 SOT-23 패키지는 적외선 리플로우 기술을 이용하고 전압 전환 또는 스위치 응용에 적합한 모든 상업적 산업적 표면 장착 적용품을 위해 넓게 발탁됩니다.

 

절대적인 최대 Ratings@Tj=25oC (그렇지 않았다면 상세화됩니다지 않는다면)

 

기호 매개 변수 평가 유닛
VDS 드레인-소스 전압 20
VGS 게이트-소스 전압 +8
ID@TA=25C 배수 Current3, 4.5V에 있는 VGS 6.4 A
ID@TA=70C 배수 Current3, 4.5V에 있는 VGS 5.1 A
IDM 펄스용 배수 Current1 20 A
PD@TA=25C 전력 총손실 1.38
TSTG 보존온도범위 -55 내지 150
TJ 작동 접합부 온도 범위 -55 내지 150

 

온도 데이타

 

기호 매개 변수 가치 유닛
스제이 A 최대 열 저항, Junction-ambient3 90 C/W

 

AP2344GN-H

 

일렉트릭널 Characteristics@Tj=25oC (그렇지 않았다면 상세화됩니다지 않는다면)

 

기호 매개 변수 엑스페리먼트 조건 민. Typ. 맥스. 유닛
BVDSS 드레인-소스 항복 전압 VGS=0V, ID=250uA 20 - -
RDS (계속) 정적 드레인-소스 On-Resistance2 VGS=4.5V, ID=6A - - 22
VGS=2.5V, ID=4A - - 32
VGS=1.8V, ID=2A - - 40
VGS(th) 게이트 문턱 전압 VDS=VGS, ID=250uA 0.4 - 1
ID (계속) 주 드레인전류에 VGS=4.5V, VDS=5V 30 - - A
그프스 앞으로 상호컨덕턴스 VDS=5V, ID=6A - 27 -
IDS 드레인-소스 누설 전류 VDS=16V, VGS=0V - - 1 uA
IGS 게이트-소스 누출 VGS=+8V, VDS=0V - - +10 uA
큐그 전체 게이트전하

ID=6A

VDS=10V VGS=4.5V

- 22 35.2 nC
큐그스 게이트-소스 요금 - 2 - nC
큐그드 게이트-드레인 (밀러) 요금 - 6 - nC
td (계속) 턴 온 지연 시간 VDS=10V - 8 - 나노 초
tr 상승 시간 ID=1A - 11 - 나노 초
(떨어져서) td 정지 지연 시간 RG=3.3Ω - 38 - 나노 초
트프 강하 시간 VGS=5V - 7 - 나노 초
CIS 입력 커패시턴스

VGS=0V

VDS=10V f=1.0MHz

- 1520 2430 pF
코스 출력 커패시턴스 - 175 - pF
크스 역 환 전기 용량 - 155 - pF
Rg 게이트 저항 f=1.0MHz - 1.2 2.4 Ω

 

소스-드레인 다이오드

 

기호 매개 변수 엑스페리먼트 조건 민. Typ. 맥스. 유닛
VSD Voltage2에 앞으로 IS=1.2A, VGS=0V - - 1.2
트르 역회복 시간

IS=6A, VGS=0V,

dI/dt=100A/us

- 16 - 나노 초
큐르르 역회복 전하 - 8 - nC

 

FAQ

 

1.팔리고 생산하는데 능숙한 우리의 회사가 무엇입니까?

1B.We는 14년 이상이 전자 부품 에이전시와 판매에 경험하게 합니다.

그리고 우리는 PCBA 제품에 우리 자신의 R&D 팀과 SMT 공장을 있습니다

 

2.우리의 힘이 무엇입니까?

2B. 우리는 중국에서 서비스를 많은 유명한 브랜드에게 제공합니다.

전자 부품을 위해 : 우리의 제품 라인은 다른 브랜드와 다른 브랜드로 가득 찹니다, 당신이 항상 1명의 경기에게 요구를 찾아줄 수 있습니다.

PCBA를 위해 : 우리는 우리 자신의 R&D 팀과 SMT 공장을 있고 OEM을 수락합니다. 소요시간과 품질은 통제하에 있습니다.

 

3.우리가 BOM 목록의 많은 항목을 그렇게 가지고 있다면, 얼마나 오래 인용을 얻는데 내가 걸릴 것입니까?

3B.All 인용과 함께 있고 2 근무일 이내에 공급합니다

 

4.당신의 제품의 품질은 어떻습니까?오랫동안 당신의 제품 위의 보증은 어떻습니까?(다른 제품)

4B.We 약속 모든 제품이 좋은 100%입니다.

 

5. 당신의 배달 시간이 무엇입니까?(Spot/Custom)

5B.1 주

연락처 세부 사항
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

담당자: David

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