제품 상세 정보:
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모델 번호:: | AP1332GEU-HF | 타이핑하세요 :: | 전자 부품 |
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다이오드 :: | 트랜지스터 | IGBT 모듈 :: | 고주파관 |
인덕터 :: | 이끌립니다 | D/C :: | 가장 새로운 |
하이 라이트: | 2.5A Mosfet 파워 트랜지스터,0.35W Mosfet 파워 트랜지스터,AP1332GEU-HF 다이오드 MOSFET 트랜지스터 |
값이 싼 공장도 가격 AP1332GEU-HF는 기업들에 연락하고 계속 같은 날이 널리 퍼질 것이라는 것 입니다
기술
AP1332 시리즈는 낮게 가능한 계속되는 저항과 고속 스위칭 성능을 달성하기 위해 진보적 힘 혁신된 디자인과 실리콘 프로세스 기술에서 왔습니다. 그것은 다양한 전력 적용에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적 효율적인 장치를 제공합니다.
기록 :
1.펄스폭은 맥스에 의해 제한했습니다. 접합 온도.
2.펄스 시험.
3.서피스는 FR4 보드, T 10 초에 장착했습니다.
절대적인 최대 Ratings@Tj=25.오크 (그렇지 않았다면 상세화됩니다지 않는다면)
기호 | 매개 변수 | 평가 | 유닛 |
VDS | 드레인-소스 전압 | 20 | V |
VGS | 게이트-소스 전압 | +8 | V |
ID@TA=25C | 배수 Current3, 4.5V에 있는 VGS | 600 | 마 |
ID@TA=70C | 배수 Current3, 4.5V에 있는 VGS | 470 | 마 |
IDM | 펄스용 배수 Current1 | 2.5 | A |
PD@TA=25C | 전력 총손실 | 0.35 | W |
TSTG | 보존온도범위 | -55 내지 150 | C |
TJ | 작동 접합부 온도 범위 | -55 내지 150 | C |
온도 데이타
기호 | 매개 변수 | 가치 | 유닛 |
스제이 A | 최대 열 저항, Junction-ambient3 | 360 | C/W |
AP1332GEU-H
일렉트릭널 Characteristics@Tj=25oC (그렇지 않았다면 상세화됩니다지 않는다면)
기호 | 매개 변수 | 엑스페리먼트 조건 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
BVDSS | 드레인-소스 항복 전압 | VGS=0V, ID=250uA | 20 | - | - | V |
RDS (계속) | 정적 드레인-소스 On-Resistance2 | VGS=4.5V, ID=600mA | - | - | 0.6 | Ω |
VGS=2.5V, ID=300mA | - | - | 2 | Ω | ||
VGS(th) | 게이트 문턱 전압 | VDS=VGS, ID=250uA | 0.5 | - | 1.25 | V |
그프스 | 앞으로 상호컨덕턴스 | VDS=5V, ID=600mA | - | 1 | - | S |
IDS | 드레인-소스 누설 전류 | VDS=16V, VGS=0V | - | - | 10 | uA |
IGS | 게이트-소스 누출 | VGS=+8V, VDS=0V | - | - | +30 | uA |
큐그 | 전체 게이트전하 |
ID=600mA VDS=16V VGS=4.5V |
- | 1.3 | 2 | nC |
큐그스 | 게이트-소스 요금 | - | 0.3 | - | nC | |
큐그드 | 게이트-드레인 (밀러) 요금 | - | 0.5 | - | nC | |
td (계속) | 턴 온 지연 시간 |
VDS=10V ID=600mA RG=3.3Ω VGS=5V |
- | 21 | - | 나노 초 |
tr | 상승 시간 | - | 53 | - | 나노 초 | |
(떨어져서) td | 정지 지연 시간 | - | 100 | - | 나노 초 | |
트프 | 강하 시간 | - | 125 | - | 나노 초 | |
CIS | 입력 커패시턴스 |
VGS=0V V.DS=10V f=1.0MHz |
- | 38 | 60 | pF |
코스 | 출력 커패시턴스 | - | 17 | - | pF | |
크스 | 역 환 전기 용량 | - | 12 | - | pF |
소스-드레인 다이오드
기호 | 매개 변수 | 엑스페리먼트 조건 | 민. | Typ. | 맥스. | 유닛 |
VSD | Voltage2에 앞으로 | IS=300mA, VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
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담당자: David