제품 상세 정보:
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VCBO: | 60V | VCEO: | 50V |
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VEBO: | 5V의 | 제품 이름: | 실리콘 반도체 삼극관 유형 |
티제이: | PC | 케이스: | 테이프/쟁반/권선 |
하이 라이트: | 끝 pnp 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
TO-92는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 C945 트랜지스터 (NPN)를
Ÿ 우수한 hFE 선형성
저잡음 Ÿ
A733에 무료한 Ÿ
표를 하기
C945=Device 부호
고체는 주조 합성 장치를, 아무도를, 정상적인 장치 dot=Green 경우에
hFE의 Z=Rank
XXX=Code
주문 정보
부품 번호 | 포장 | 패킹 방법 | 팩 양 |
C945 | TO-92 | 부피 | 1000pcs/Bag |
C945-TA | TO-92 | 테이프 | 2000pcs/Box |
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 기초 전압 | 60 | V |
V CEO | 수집가 이미터 전압 | 50 | V |
V EBO | 이미터 기초 전압 | 5 | V |
I C | 지속 수집가 현재 - | 150 | mA |
PC | 수집가 전력 흩어지기 | 400 | MW |
TJ | 접합 온도 | 150 | ℃ |
Tstg | St orage 온도 | -55~+150 | ℃ |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=1mA, I.E =0 | 60 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC=100μA, IB=0 | 50 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E =100 μA, IC=0 | 5 | V | ||
수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB=60V, I.E =0 | 0.1 | μA | ||
수집가 커트오프 현재 | ICEO | VCE=45V, IB=0 | 0.1 | μA | ||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 0.1 | μA | ||
DC 현재 이익 |
hFE (1) | VCE=6V, IC=1mA | 70 | 700 | ||
hFE (2) | VCE=6V, IC=0.1mA | 40 | ||||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=100mA, IB=10mA | 0.3 | V | ||
기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC=100mA, IB=10mA | 1 | V | ||
전환 빈도 | fT | VCE=6V, IC=10mA, f=30MHz | 200 | MHz | ||
수집가 산출 용량 | 옥수수 속 | VCB=10V, I.E =0, f=1MHz | 3.0 | pF | ||
소음 숫자 |
NF |
VCE=6V, IC=0.1mA RG=10kΩ, f=1MHz |
10 |
dB |
계급 | O | Y | GR | BL |
범위 | 70-140 | 120-240 | 200-400 | 350-700 |
전형적인 특성
포장 개략 차원
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
분 | 최대 | 분 | 최대 | |
A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
D1 | 3.430 | 0.135 | ||
E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
0 | 1.600 | 0.063 | ||
h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
담당자: David