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제품 상세 정보:
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| VCBO: | 310V | VCEO: | 305V |
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| VEBO: | 5V의 | 제품 이름: | 실리콘 반도체 삼극관 유형 |
| 티제이: | PC | 케이스: | 테이프/쟁반/권선 |
| 하이 라이트: | 끝 시리즈 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
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TO-92는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 A42 트랜지스터 (NPN)를
고전압
표를 하기
주문 정보
| 부품 번호 | 포장 | 패킹 방법 | 팩 양 |
| A42 | TO-92 | 부피 | 10000 |
| A42-TA | TO-92 | 테이프 | 2000년 |
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
| 상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
| VCBO | 수집가 기초 전압 | 310 | V |
| VCEO | 수집가 이미터 전압 | 305 | V |
| VEBO | 이미터 기초 전압 | 5 | V |
| I C | 지속 Curren t 수집가 - | 200 | mA |
| I CM | 맥박이 뛰는 수집가 현재 - | 500 | mA |
| PC | 수집가 전력 흩어지기 | 625 | MW |
| TJ | 접합 온도 | 150 | ℃ |
| Tstg | 저장 온도 | -55-150 | ℃ |
| RӨJA | 내열성, 주위에 접속점 | 200 | ℃ /mW |
| RӨJC | 내열성, 케이스에 접속점 | 83.3 | ℃ /mW |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
| 모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
| 수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=100uA, I.E =0 | 310 | V | ||
| 수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC=1mA, IB=0 | 305 | V | ||
| 이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E =100ΜA, IC=0 | 5 | V | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB=200V, I.E =0 | 0.25 | μA | ||
| 이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 0.1 | μA | ||
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DC 현재 이익 |
hFE (1) | VCE=10V, IC=1mA | 60 | |||
| hFE (2) | VCE=10V, IC=10mA | 80 | 250 | |||
| hFE (3) | VCE=10V, IC=30mA | 75 | ||||
| 수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=20mA, IB=2mA | 0.2 | V | ||
| 기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC=20mA, IB=2mA | 0.9 | V | ||
| 전환 빈도 | fT | VCE=20V, IC=10mA, f=30MHZ | 50 | MHz |
| 계급 | A | B | C |
| 범위 | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
전형적인 특성
포장 개략 차원
| 상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
| 분 | 최대 | 분 | 최대 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
담당자: David
