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제품 상세 정보:
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| VCBO: | 40V | VCEO: | 20V |
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| PD: | 625Mw | 제품 이름: | 반도체 삼극관 유형 |
| Tstg: | -55 ~+150Š | 힘 Mosfet 트랜지스터: | TO-92는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 |
| 하이 라이트: | 끝 pnp 트랜지스터,끝 시리즈 트랜지스터 |
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TO-92는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 A94 트랜지스터 (PNP)를
Ÿ 높은 DC 현재 이익 및 큰 현재 기능
표를 하기
M28S=Device 부호
고체는 주조 합성 장치를 dot=Green,
만약에 아무도를, 정상적인 장치
hFE의 Z=Rank, XXX=Code
주문 정보
| 부품 번호 | 포장 | 패킹 방법 | 팩 양 |
| M28S | TO-92 | 부피 | 1000pcs/Bag |
| M28S-TA | TO-92 | 테이프 | 2000pcs/Box |
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
| 상징 | 파라 미터 | 가치 | 단위 |
| VCBO | 수집가 기초 전압 | 40 | V |
| VCEO | 수집가 이미터 전압 | 20 | V |
| VEBO | 이미터 기초 전압 | 6 | V |
| IC | 지속 수집가 현재 - | 1 | A |
| PD | 수집가 전력 흩어지기 | 625 | MW |
| R0 JA | 열은 주위에 ance f 롬 접속점을 저항합니다 | 200 | Š/W |
| Tj | 접합 온도 | 150 | Š |
| Tstg | 저장 온도 | -55 ~+150 | Š |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
| 모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
| 수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC= 0.1mA, I.E =0 | 40 | V | ||
| 수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC=1mA, IB=0 | 20 | V | ||
| 이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E =0.1MA, IC=0 | 6 | V | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICBO | VCB=40V, I.E =0 | 1 | µA | ||
| 수집가 커트오프 현재 | ICEO | VCE=20V, IB=0 | 5 | µA | ||
| 이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 0.1 | µA | ||
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DC 현재 이익 |
hFE (1) | VCE=1V, IC=1mA | 290 | |||
| hFE (2) | VCE=1V, IC=100mA | 300 | 1000년 | |||
| hFE (3) | VCE=10V, IC=300mA | 300 | ||||
| hFE (4) | VCE=1V, IC=500mA | 300 | ||||
| 수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=600mA, IB=20mA | 0.55 | V | ||
| 전환 빈도 | fT | VCE=10V, I.E =50mA, f=30MHz | 100 | MHz |
| 계급 | B | C | D |
| 범위 | 300-550 | 500-700 | 650-1000 |
포장 개략 차원
| 상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
| 분 | 최대 | 분 | 최대 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
담당자: David
