제품 상세 정보:
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VCBO: | 600v | VCEO: | 400V |
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수집가 기초 전압: | 6v | 제품 이름: | 반도체 삼극관 유형 |
힘 Mosfet 트랜지스터: | TO-92는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 | 유형: | 삼극관 트랜지스터 |
하이 라이트: | 끝 시리즈 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
TO-92는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 3DD13002B 트랜지스터 (NPN)를
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13002B=Device 부호
고체는 주조 합성 장치를, 아무도를, 정상적인 장치 dot=Green 경우에
XXX=Code
주문 정보
부품 번호 | 포장 | 패킹 방법 | 팩 양 |
3DD13002B | TO-92 | 부피 | 1000pcs/Bag |
3DD13002B-TA | TO-92 | 테이프 | 2000pcs/Box |
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
VCBO | 수집가 기초 전압 | 600 | V |
VCEO | 수집가 이미터 전압 | 400 | V |
VEBO | 이미터 기초 전압 | 6 | V |
IC | 지속 수집가 현재 - | 0.8 | A |
PC | 수집가 전력 흩어지기 | 0.9 | W |
TJ | 접합 온도 | 150 | ℃ |
Tstg | 저장 온도 | -55 ~ 150 | ℃ |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
모수 |
상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 |
단위 |
수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC=100μA, I.E =0 | 600 | V | ||
수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC=1mA, IB=0 | 400 | V | ||
이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
수집가 커트오프 현재 |
ICBO | VCB= 600V, I.E =0 | 100 | µA | ||
ICEO | VCE= 400V, IB=0 | 100 | µA | |||
이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 100 | µA | ||
Dc c urrent 이익 |
hFE1 | VCE= 10 V, IC=200mA | 9 | 40 | ||
hFE2 | VCE= 10 V, IC=0.25mA | 5 | ||||
수집가 이미터 포화 전압 | (앉히는) VCE | IC=200mA, IB=40mA | 0.5 | V | ||
기초 이미터 포화 전압 | (앉히는) VBE | IC=200mA, IB=40mA | 1.1 | V | ||
전환 빈도 |
fT |
VCE=10V, IC=100mA f =1MHz |
5 |
MHz |
||
낙하시간 | tf |
IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V |
0.5 | µs | ||
저장 시간 | ts | 2.5 | µs |
범위 | 9-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
전형적인 특성
TO-92 포장 개략 차원
상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
분 | 최대 | 분 | 최대 | |
A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
D1 | 3.430 | 0.135 | ||
E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
Φ | 1.600 | 0.063 | ||
h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
담당자: David