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제품 상세 정보:
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| 보관 온도: | -55~150℃ | 티제이: | 150 ℃ |
|---|---|---|---|
| 수집가 전력 흩어지기: | 1.25W | 제품 이름: | 반도체 삼극관 유형 |
| 수집가 현재: | 3.5A | 유형: | 삼극관 트랜지스터 |
| 하이 라이트: | 끝 pnp 트랜지스터,고성능 pnp 트랜지스터 |
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TO-251-3L/TO-252-2L는 플라스틱 캡슐에 넣습니다 트랜지스터 3DD13002 트랜지스터 (NPN)를
힘 엇바꾸기 신청
최대 등급 (T =25 Š 다리 명시되지 않는 한)
| 상징 | 모수 | 가치 | 단위 |
| VCBO | 수집가 - 기본 전압 | 600 | V |
| VCEO | 수집가 이미터 전압 | 400 | V |
| VEBO | 이미터 기초 전압 | 6 | V |
| IC | 지속 수집가 현재 - | 1 | A |
| PC | 수집가 전력 흩어지기 | 1.25 | W |
| TJ | 접합 온도 | 150 | ℃ |
| Tstg | 저장 온도 | -55~150 | ℃ |
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
Ta =25 Š 특별한 다른 규정이 없으면
| 모수 | 상징 | 테스트 조건 | 분 | Typ | 최대 | 단위 |
| 수집가 기초 고장 전압 | V (브롬) CBO | IC= 100μA, I.E =0 | 600 | V | ||
| 수집가 이미터 고장 전압 | V (브롬) CEO | IC= 1mA, IB=0 | 400 | V | ||
| 이미터 기초 고장 전압 | V (브롬) EBO | I.E = 100μA, IC=0 | 6 | V | ||
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수집가 커트오프 현재 |
ICBO | VCB= 600V, I.E =0 | 100 | µA | ||
| ICEO | VCB= 400V, I.E =0 | 100 | µA | |||
| 이미터 커트오프 현재 | IEBO | VEB= 7V, IC=0 | 100 | µA | ||
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Dc 현재 이익 |
hFE1 | VCE= 10 V, IC= 200mA | 9 | 40 | ||
| hFE2 | VCE= 10 V, IC= 0.25mA | 5 | ||||
| 수집가 이미터 포화 전압 | V (앉히는)세륨 | IC=200mA, IB= 40mA | 0.5 | V | ||
| 기초 이미터 포화 전압 | V있으십시오 (앉는) | IC=200mA, IB= 40mA | 1.1 | V | ||
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전환 빈도 |
fT |
VCE=10V, IC=100mA f =1MHz |
5 |
MHz |
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| 낙하시간 | tf | IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V | 0.5 | µs | ||
| 저장 시간 | ts | 2.5 | µs |
hFE1의 분류
| 범위 | 9-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
전형적인 특성
TO-92 포장 개략 차원
| 상징 | 밀리미터에 있는 차원 | 인치에 있는 차원 | ||
| 사소. | 최대. | 사소. | 최대. | |
| A | 2.200 | 2.400 | 0.087 | 0.094 |
| A1 | 1.050 | 1.350 | 0.042 | 0.054 |
| B | 1.350 | 1.650 | 0.053 | 0.065 |
| b | 0.500 | 0.700 | 0.020 | 0.028 |
| b1 | 0.700 | 0.900 | 0.028 | 0.035 |
| c | 0.430 | 0.580 | 0.017 | 0.023 |
| c1 | 0.430 | 0.580 | 0.017 | 0.023 |
| D | 6.350 | 6.650 | 0.250 | 0.262 |
| D1 | 5.200 | 5.400 | 0.205 | 0.213 |
| E | 5.400 | 5.700 | 0.213 | 0.224 |
| e | 2.300 TYP. | 0.091 TYP. | ||
| e1 | 4.500 | 4.700 | 0.177 | 0.185 |
| L | 7.500 | 7.900 | 0.295 | 0.311 |
담당자: David
